[發明專利]一種產生太赫茲調制波的方法

有效

• 申請號: 201710259288.8
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN108736295B
• 公開（公告）日: 2019-12-17
• 發明（設計）人: 張凌;柳鵬;吳揚;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司
• 主分類號: H01S1/00
• 分類號: H01S1/00;G02F1/01
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種產生太赫茲調制波的方法，其包括以下步驟：

提供一太赫茲波源，并使該太赫茲波源激發產生太赫茲波；以及

在所述太赫茲波源的出射面一側設置一碳納米管結構，使該太赫茲波源產生的太赫茲波透過該碳納米管結構后發射出去，其中，該碳納米管結構包括多個沿同一方向定向延伸的碳納米管，該碳納米管結構的太赫茲波穿透率隨著波數或波長呈波峰波谷交替形狀；進一步，所述多個碳納米管的表面包覆有金屬導電層；在遠紅外波段，包覆金屬導電層的碳納米管結構比純碳納米管結構的波峰波谷交替現象增強，且包覆金屬導電層的碳納米管結構的穿透率在低波數范圍有上升趨勢；在中紅外波段，包覆金屬導電層的碳納米管結構比純碳納米管結構的穿透率下降，但是包覆金屬導電層的碳納米管結構的波峰波谷交替現象卻比純碳納米管結構增強。

2.如權利要求1所述的產生太赫茲調制波的方法，其特征在于，所述碳納米管結構包括一碳納米管膜，所述碳納米管膜包括多個通過范德華力首尾相連的碳納米管束，每一碳納米管束包括多個相互平行的碳納米管。

3.如權利要求1所述的產生太赫茲調制波的方法，其特征在于，所述金屬導電層的厚度為3納米～50納米。

4.如權利要求1所述的產生太赫茲調制波的方法，其特征在于，所述碳納米管結構直接設置于所述太赫茲波源的出射面上。

5.如權利要求1所述的產生太赫茲調制波的方法，其特征在于，所述碳納米管結構與所述太赫茲波源的出射面間隔設置。

6.如權利要求1所述的產生太赫茲調制波的方法，其特征在于，進一步包括旋轉所述太赫茲波源或/和調制裝置，從而調節所述碳納米管結構中碳納米管的延伸方向與太赫茲波偏振方向的夾角。

7.如權利要求1所述的產生太赫茲調制波的方法，其特征在于，進一步包括將所述碳納米管結構設置于一太赫茲波可以穿透的真空容器內，并加熱所述碳納米管結構。

8.如權利要求7所述的產生太赫茲調制波的方法，其特征在于，所述碳納米管結構懸空設置于所述真空容器內。

9.如權利要求7所述的產生太赫茲調制波的方法，其特征在于，所述加熱碳納米管結構的方法為在所述碳納米管結構兩端施加一電壓。

10.如權利要求7所述的產生太赫茲調制波的方法，其特征在于，所述加熱碳納米管結構的的同時調節所述碳納米管結構中碳納米管的延伸方向與太赫茲波偏振方向的夾角。