[發明專利]半導體器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201710254679.0
• 申請日: 2017-04-18
• 公開（公告）號: CN107068548B
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底具有多個第一區域以及多個第二區域，所述第一區域和第二區域間隔排列；

在所述襯底上形成多個第一圖案，所述第一圖案位于所述第一區域上；

在所述襯底上形成一第一調整層，所述第一調整層順從地覆蓋所述第一圖案的頂壁、側壁以及所述襯底的第二區域，所述第一調整層具有一覆蓋所述第二區域并與所述第一圖案產生一高度差的缺口；

在所述第一調整層上形成一第二調整層，所述第二調整層填補所述缺口；

去除所述第一圖案上方的第二調整層，使得所述第二調整層保留在所述第二區域上的部分圖案化，殘留的所述第二調整層與所述第二調整層下方的所述第一調整層共同形成為多個第二圖案，所述第一圖案側壁的所述第一調整層隔離所述第一圖案與所述第二圖案，并且所述第一圖案與所述第二圖案之間的間距是通過所述第一調整層的厚度定義；以及

執行刻蝕工藝，去除在所述第一圖案與所述第二圖案之間的所述第一調整層，同時部分去除所述第二圖案的所述第二調整層，并使刻蝕后的所述第二調整層的厚度僅小于所述第一圖案的厚度在一個原子層沉積厚度。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一調整層的材質與所述第一圖案的材質不同，并且，所述第一調整層的材質與所述第二調整層的材質不同，所述第一調整層的刻蝕速率大于所述第一圖案的刻蝕速率，所述第一調整層的刻蝕速率大于所述第二調整層的刻蝕速率。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，去除在所述第一圖案與所述第二圖案之間的所述第一調整層之后，在所述第一圖案與所述第二圖案之間形成一間隙。

4.如權利要求3所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：在所述間隙內形成填充材料。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一區域的寬度小于所述第二區域的寬度。

6.一種半導體器件，其特征在于，包括：

一襯底，所述襯底具有多個第一區域以及多個第二區域，所述第一區域和第二區域間隔排列；

多個第一圖案，形成于在所述襯底上，一個所述第一圖案位于一個所述第一區域上；

一第一調整層，形成于在所述襯底上，所述第一調整層圖案化位于所述第二區域上，所述第一調整層具有一覆蓋所述第二區域并與所述第一圖案產生一高度差的缺口；以及

一第二調整層，形成于在所述第一調整層上，所述第二調整層填補所述缺口，所述第二調整層圖案化位于所述第二區域上，所述第一調整層與所述第二調整層共同形成為多個第二圖案，所述第二調整層的厚度僅小于所述第一圖案的厚度在一個原子層沉積厚度；

其中，所述第一圖案與所述第二圖案之間形成有一間隙，所述間隙的寬度是通過所述第一調整層的厚度定義。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第一調整層的材質與所述第一圖案的材質不同，并且，所述第一調整層的材質與所述第二調整層的材質不同，所述第一調整層的刻蝕速率大于所述第一圖案的刻蝕速率，所述第一調整層的刻蝕速率大于所述第二調整層的刻蝕速率。

8.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，還包括形成在所述間隙內的填充材料。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述第一圖案與所述第二圖案為相同厚度，所述填充材料為厚度大于寬度的直立線路，對應于所述缺口的兩相對側邊。