[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201710251742.5
• 申請日: 2017-04-18
• 公開（公告）號: CN107316833B
• 公開（公告）日: 2022-11-18
• 發明（設計）人: 中村勝;北村宏
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/68;H01L21/683
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;于靖帥

技術領域

本發明涉及晶片的加工方法，將激光光線的聚光點定位在晶片的內部而形成改質層并分割成各個器件芯片。

背景技術

通過切割裝置、激光加工裝置等將由分割預定線劃分并在正面上形成有IC、LSI等多個器件的晶片分割成各個器件芯片，將分割得到的器件芯片應用于移動電話或個人計算機等電子設備中。

并且，提出了如下技術：將對于晶片具有透過性的波長的激光光線的聚光點從晶片的背面定位在與分割預定線對應的內部而進行照射，從而沿著分割預定線形成改質層，之后對晶片的背面進行磨削而使其薄化并且將晶片分割成各個器件(例如，參照專利文獻1。)。

根據在上述專利文獻1中公開的技術，與以往的通過切割裝置等沿著分割預定線形成分割起點的情況相比，能夠使器件芯片的厚度變薄并且提高抗彎強度。

專利文獻1：日本特開2014-007257號公報

這里，本發明者們發現存在如下問題：在實施從晶片的背面側照射激光光線而在晶片內部形成改質層然后對晶片的背面進行磨削而使其薄化并且分割成各個器件芯片的工序時，有時在與形成有改質層的分割預定線不同的部位會產生晶片碎裂的現象，形成于晶片的正面的器件因該碎裂現象而局部破損，使該器件芯片的生產效率顯著降低。

根據上述問題點，本發明者們對產生上述碎裂現象的原因進行了深入研究，其結果是，發現了以下內容。

搬送單元首先通過吸引墊對保持在該激光加工裝置的卡盤工作臺上的晶片進行吸引，將在激光加工裝置中完成了從晶片的背面側照射激光光線而在晶片內部形成改質層的改質層形成工序的晶片從照射激光光線時對晶片進行保持的卡盤工作臺搬出，并搬送到下一個工序的對晶片的背面進行磨削而使其薄化并且將晶片分割成各個器件芯片的磨削裝置的卡盤工作臺上。在吸引了該晶片時，該吸引墊的吸引力會使晶片內部產生不均勻的內部應力，當未充分釋放該內部應力便直接將該晶片載置并吸引保持在接下來的磨削工序中使用的卡盤工作臺上時，因該吸引墊而產生的內部應力會局部地殘留在晶片內部。并且，在接下來的磨削工序中，以對晶片的背面進行磨削而使其薄化時施加磨削壓力為契機，所述的殘留內部應力會使碎裂現象在意圖之外的位置產生。

發明內容

本發明是鑒于上述事實而完成的，其主要的技術課題在于，提供晶片的加工方法，在實施對晶片的背面進行磨削而使其薄化并且分割成各個器件芯片的工序時，能夠防止在意圖之外的部位產生碎裂現象。

為了解決上述主要的技術課題，根據本發明，提供一種晶片的加工方法，將由交叉形成的多條分割預定線劃分而在正面上形成有多個器件的晶片分割成各個器件芯片，其中，該晶片的加工方法具有如下的工序：保護帶粘貼工序，將保護帶粘貼在晶片的正面上；保持工序，將晶片的保護帶側保持在具有對晶片進行吸引保持的保持面的第1卡盤工作臺上；改質層形成工序，從晶片的背面將對于晶片具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位在與分割預定線對應的晶片內部而進行照射，從而沿著分割預定線形成改質層；搬出工序，通過具有對晶片進行吸引保持的吸引墊的搬送單元對保持在該第1卡盤工作臺上的晶片的背面進行吸引保持并將該晶片從該第1卡盤工作臺搬出；搬送工序，通過該搬送單元將晶片搬送到具有對晶片進行吸引保持的保持面的第2卡盤工作臺上，將晶片的保護帶側保持在該保持面上并使該搬送單元的吸引墊從晶片的背面離開；以及磨削工序，對吸引保持在該第2卡盤工作臺上的晶片的背面進行磨削而進行薄化并且將晶片分割成各個器件芯片，該搬送工序包含如下的工序：載置工序，將該搬送單元的吸引墊所保持的晶片載置在該第2卡盤工作臺的保持面上；夾持工序，將該吸引墊的吸引力阻斷，利用該吸引墊和該保持面對晶片進行夾持；以及保持工序，在執行了該夾持工序之后，使吸引力作用于該保持面而將晶片的保護帶側吸引保持在該保持面上，并使該吸引墊從晶片的背面離開。

根據本發明，在將晶片從吸引墊轉移到第2卡盤工作臺上時，將吸引墊的吸引力阻斷而使晶片的內部應力釋放，在晶片中不會殘留有因該吸引墊而生成的內部應力，將該晶片轉移到第2卡盤工作臺上而進行吸引保持，雖然實施對形成有改質層的晶片的背面進行磨削而使其薄化并且將晶片分割成各個器件芯片的磨削工序，但解決了器件局部破損的問題。

附圖說明

圖1是示出在硅晶片上粘貼保護帶的保護帶粘貼工序的立體圖。

圖2的(a)和(b)是示出使圖1的硅晶片保持在激光加工裝置的第1卡盤工作臺上的保持工序的立體圖。

圖3的(a)是示出在圖1的硅晶片上形成改質層的改質層形成工序的立體圖，圖3的(b)是其放大剖視圖。