[發(fā)明專利]用于檢測(cè)來(lái)自外部電源的過(guò)電壓尖峰的過(guò)電壓檢測(cè)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710250809.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107393597B | 公開(公告)日: | 2019-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | W·K·萊爾德;J·J·克勞福特 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司 |
| 主分類號(hào): | G11C29/56 | 分類號(hào): | G11C29/56;G01R19/04;G01R29/027;G01R29/033 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 趙蓉民 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 檢測(cè) 來(lái)自 外部 電源 過(guò)電壓 尖峰 電路 | ||
本發(fā)明公開了一種用于檢測(cè)來(lái)自外部電源的過(guò)電壓尖峰的過(guò)電壓檢測(cè)電路。一種過(guò)電壓檢測(cè)電路,其通過(guò)電壓供電線耦合到外部電源,并包括晶體管,該晶體管包括耦合到該電壓供電線的第一端子,通過(guò)電陽(yáng)器耦合到第一端子的第二端子,該第二端子耦合到寄生電容器,該晶體管被配置為在第一端子上接收來(lái)自外部電源的過(guò)電壓尖峰,并且當(dāng)該過(guò)電壓尖峰具有小于基于該電阻器和該寄生電容器的時(shí)間常數(shù)的持續(xù)時(shí)間以及大于晶體管的閾值電壓的振幅時(shí),在晶體管的第三端子上提供輸出電壓以指示過(guò)電壓尖峰的檢測(cè)。過(guò)電壓檢測(cè)電路還包括監(jiān)控電路,其被配置為從晶體管接收輸出電壓,并提供數(shù)字信號(hào),從而提供在電壓供電線上檢測(cè)到來(lái)自外部電源的過(guò)電壓尖峰的通知。
背景技術(shù)
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備,如硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD),混合驅(qū)動(dòng)器和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD),可以從主機(jī)電源接收電力,主機(jī)電源例如可以駐留在臺(tái)式或膝上型計(jì)算機(jī)中或者可以是獨(dú)立電源。主機(jī)電源通常從AC電力線接收其電力。然而,如果在AC電力線上出現(xiàn)電壓瞬變,而主機(jī)電源設(shè)計(jì)得不夠好,則與其連接的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備可能經(jīng)受過(guò)電壓尖峰,這可能導(dǎo)致錯(cuò)誤,諸如數(shù)據(jù)寫入錯(cuò)誤,或者導(dǎo)致性能問(wèn)題。例如,在HDD中,足夠振幅(amplitude)的過(guò)電壓尖峰可能觸發(fā)震動(dòng)傳感器,從而損害驅(qū)動(dòng)器的讀取和寫入性能。
如果數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備經(jīng)受來(lái)自外部電源的過(guò)電壓尖峰,則期望檢測(cè)和記錄數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備中的過(guò)電壓尖峰的發(fā)生。如果客戶的故障設(shè)備被返回給制造商,這可允許設(shè)備制造商的故障分析工程師確定所記錄的過(guò)電壓尖峰是否可能是造成設(shè)備故障的原因。
附圖說(shuō)明
體現(xiàn)本發(fā)明各種特征的過(guò)電壓檢測(cè)電路和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備將參考以下附圖進(jìn)行描述,其中:
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的耦合到外部電源的過(guò)電壓檢測(cè)電路的框圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的耦合到外部電源的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的框圖,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備包括控制器、非易失性存儲(chǔ)器(NVM)以及具有過(guò)電壓檢測(cè)電路的功率設(shè)備。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的耦合到外部電源的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的框圖,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備包括控制器、NVM和具有過(guò)電壓檢測(cè)電路的功率設(shè)備。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的耦合到外部電源的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的框圖,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備包括控制器、NVM和具有耦合到外部電源的不同電壓供電線的兩個(gè)過(guò)電壓檢測(cè)電路的功率設(shè)備。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的耦合到外部電源的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的框圖,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備包括控制器、NVM和具有耦合到外部電源的不同電壓供電線的兩個(gè)過(guò)電壓檢測(cè)電路的功率設(shè)備。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的耦合到外部電源的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的框圖,該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備包括控制器、NVM、功率設(shè)備和耦合到外部電源的不同電壓供電線的兩個(gè)過(guò)電壓檢測(cè)電路。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的各種實(shí)施例涉及提供一種過(guò)電壓檢測(cè)電路,其被配置為在電壓供電線上檢測(cè)來(lái)自外部電源的過(guò)電壓尖峰,并且提供過(guò)電壓尖峰檢測(cè)的通知。在本發(fā)明的各種實(shí)施例中,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備(例如,HDD,混合驅(qū)動(dòng)器或SSD)包括過(guò)電壓檢測(cè)電路,其被配置為在電壓供電線上檢測(cè)來(lái)自與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備耦合的外部電源的過(guò)電壓尖峰。在某些實(shí)施例中,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備可以通過(guò)兩個(gè)電壓供電線耦合到外部電源,并且包括兩個(gè)過(guò)電壓檢測(cè)電路,其中每個(gè)過(guò)電壓檢測(cè)電路被配置為檢測(cè)在電壓供電線的一個(gè)上的源自外部電源的過(guò)電壓尖峰。例如,一個(gè)電壓供電線可向數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備提供低電壓(例如5V),而另一電壓供電線可以向數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備提供高電壓(例如,12V)。
在各種實(shí)施例中,一種過(guò)電壓檢測(cè)電路包括晶體管,其被配置為經(jīng)由電壓供電線在晶體管的源極端子處接收來(lái)自外部電源的過(guò)電壓尖峰,并且當(dāng)過(guò)電壓尖峰具有小于時(shí)間常數(shù)(基于耦合在晶體管的源極端子和柵極端子之間的至少一個(gè)電阻器和寄生電容器)的持續(xù)時(shí)間和超過(guò)晶體管閾值電壓的振幅時(shí),在晶體管的漏極端子上提供輸出電壓以指示檢測(cè)到過(guò)電壓尖峰。
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- 同類專利
- 專利分類
G11C 靜態(tài)存儲(chǔ)器
G11C29-00 存儲(chǔ)器正確運(yùn)行的校驗(yàn);備用或離線操作期間測(cè)試存儲(chǔ)器
G11C29-02 .損壞的備用電路的檢測(cè)或定位,例如,損壞的刷新計(jì)數(shù)器
G11C29-04 .損壞存儲(chǔ)元件的檢測(cè)或定位
G11C29-52 .存儲(chǔ)器內(nèi)量保護(hù);存儲(chǔ)器內(nèi)量中的錯(cuò)誤檢測(cè)
G11C29-54 .設(shè)計(jì)檢測(cè)電路的裝置,例如,可測(cè)試性設(shè)計(jì)
G11C29-56 .用于靜態(tài)存儲(chǔ)器的外部測(cè)試裝置,例如,自動(dòng)測(cè)試設(shè)備
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