[發(fā)明專利]多位元三維一次編程存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710246048.4 | 申請日: | 2017-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN107301878B | 公開(公告)日: | 2020-09-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張國飆 | 申請(專利權(quán))人: | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分類號: | G11C17/16 | 分類號: | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 610041 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 位元 三維 一次 編程 存儲器 | ||
1.一種多位元三維一次編程存儲器(多位元3D-OTP),其特征在于含有:
一含有晶體管的半導(dǎo)體襯底(0);
多個堆疊在襯底上方并與該襯底耦合的OTP存儲元(1aa-1ad);
每個存儲元含有一個反熔絲膜(22),該反熔絲膜(22)的電阻在編程時不可逆轉(zhuǎn)地從高阻態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài),所述反熔絲膜(22)具有N(N2)種狀態(tài),不同狀態(tài)下的反熔絲膜(22)具有不同電阻,所述反熔絲膜的電阻值由一編程電流設(shè)定;
一第一啞位線(31a),該第一啞位線(31a)上有一第一啞存儲元(1a0),該第一啞存儲元(1a0)未編程;
一第二啞位線(31b),該第二啞位線(31b)上有一第二啞存儲元(1a1),該第二啞存儲元(1a1)已編程;
一第三啞位線(31c),該第三啞位線(31c)上有一第三啞存儲元(1a2),該第三啞存儲元(1a2)已編程且電阻與該第二啞存儲元(1a1)處于相同狀態(tài);
一第四啞位線(31d),該第四啞位線(31d)上有一第四啞存儲元(1a3),該第四啞存儲元(1a3)已編程但與該第二啞存儲元(1a1)處于不同狀態(tài);
一第一差分讀出放大器(58a),該第一差分讀出放大器(58a)的一輸入(53a) 同時與該第一和第二啞存儲元(1a0, 1a1)電耦合;
一第二差分讀出放大器(58b),該第二差分讀出放大器(58b)的一輸入(53b)同時與該第三和第四啞存儲元(1a2, 1a3)電耦合。
2.一種多位元三維一次編程存儲器(多位元3D-OTP),其特征在于含有:
一含有晶體管的半導(dǎo)體襯底(0);
多個堆疊在襯底上方并與該襯底耦合的OTP存儲元(1aa-1ad);
每個存儲元含有一個反熔絲膜(22),該反熔絲膜(22)的電阻在編程時不可逆轉(zhuǎn)地從高阻態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài),所述反熔絲膜(22)具有N(N2)種狀態(tài),不同狀態(tài)下的反熔絲膜(22)具有不同電阻,所述反熔絲膜的電阻值由一編程電流設(shè)定。
一第一啞位線(32a),該第一啞位線(32a)上有一第一啞存儲元(1a0),該第一啞存儲元(1a0)未編程;
一第二啞位線(32b),該第二啞位線(32b)上有一第二啞存儲元(1a1),該第二啞存儲元(1a1)已編程;
一第三啞位線(32c),該第三啞位線(32c)上有一第三啞存儲元(1a2),該第三啞存儲元(1a2)已編程但與該第二啞存儲元(1a1) 處于不同狀態(tài);
一差分讀出放大器(58D),在第一測量時,該差分讀出放大器(58D)的一輸入(53)同時與該第一和第二啞存儲元(1a0, 1a1)電耦合;在做第二測量時,該差分讀出放大器(58D)的該輸入(53)同時與該第二和第三啞存儲元(1a1, 1a2)電耦合。
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