[發明專利]半導體存儲器裝置及其操作方法

有效

• 申請號: 201710237921.3
• 申請日: 2017-04-12
• 公開（公告）號: CN108335713B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發明（設計）人: 林榆瑄;許凱捷;林昱佑;李峰旻
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導體存儲器裝置，包括：

一存儲器陣列，包括多個存儲單元，所述存儲單元處于一高阻抗狀態或一低阻抗狀態的任一者；

一參考陣列，包括多個參考單元，所述存儲單元與所述參考單元具有相同的阻抗-溫度關系，且被編程的所述參考單元處于一中阻抗狀態，該中阻抗狀態在初始設定后介于該高阻抗狀態與該低阻抗狀態之間；

一平均電路，耦接至該參考陣列，用以對該參考陣列的所述參考單元所輸出的多個個別參考電流給予平均后得到一平均參考電流；以及

一比較器，耦接至該參考陣列與該平均電路，比較該平均參考電流與該存儲器陣列的所述存儲單元所輸出的多個個別存儲器電流，以得到該存儲器陣列的所述存儲單元的多個輸出數據以及判斷該存儲器陣列的所述存儲單元的個別阻抗狀態。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，該存儲器陣列的所述存儲單元與該參考陣列的所述參考單元具有相同架構。

3.如權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，該存儲器陣列的所述存儲單元與該參考陣列的所述參考單元包括多個可變電阻式存儲器單元。

4.如權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，

該存儲器陣列的所述存儲單元與所述參考單元的存儲器狀態隨著溫度而變化；

所述參考單元的所輸出的所述參考電流隨著溫度而變化；以及

該平均參考電流隨著溫度而變化。

5.如權利要求1所述的半導體存儲器裝置，還包括：

一控制器，耦接至該參考陣列，該控制器用以控制該參考陣列，以產生所述參考電流與該平均參考電流。

6.如權利要求5所述的半導體存儲器裝置，其中，

該控制器控制和/或改變施加至該參考陣列的一操作電壓和/或一操作電流，以調整該參考陣列的所述參考單元所產生的所述參考電流及該平均參考電流，直到該平均參考電流接近一固定目標電流。

7.如權利要求6所述的半導體存儲器裝置，其中，

該控制器控制和/或改變施加至該參考陣列的該操作電壓和/或該操作電流，以使得該參考陣列的所述參考單元的各別阻抗狀態變成該中阻抗狀態。

8.一種半導體存儲器裝置的操作方法，包括：

由一存儲器陣列的多個存儲單元輸出多個個別存儲器電流，以及由一參考陣列的多個參考單元輸出多個個別參考電流；

對該參考陣列的所述參考單元所輸出的所述個別參考電流給予平均后得到一平均參考電流；以及

比較該平均參考電流與該存儲器陣列的所述存儲單元所輸出的所述個別存儲器電流，以得到該存儲器陣列的所述存儲單元的多個輸出數據以及判斷該存儲器陣列的所述存儲單元的個別阻抗狀態，

其中，該存儲器陣列的所述存儲單元處于一高阻抗狀態或一低阻抗狀態的任一者，

該存儲器陣列的所述存儲單元與該參考陣列的所述參考單元具有相同的阻抗-溫度關系，以及

該參考陣列的被編程的所述參考單元處于一中阻抗狀態，該中阻抗狀態在初始設定后介于該高阻抗狀態與該低阻抗狀態之間。

9.如權利要求8所述的半導體存儲器裝置的操作方法，還包括：

控制和/或改變施加至該參考陣列的一操作電壓和/或一操作電流，以調整該參考陣列的所述參考單元所產生的所述參考電流及該平均參考電流，直到該平均參考電流接近一固定目標電流。

10.如權利要求9所述的半導體存儲器裝置的操作方法，還包括：

控制和/或改變施加至該參考陣列的該操作電壓和/或該操作電流，以使得該參考陣列的所述參考單元的各別阻抗狀態變成該中阻抗狀態。