[發明專利]監控襯底涂布位置的方法有效
| 申請號: | 201710237323.6 | 申請日: | 2017-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN107039305B | 公開(公告)日: | 2019-10-01 |
| 發明(設計)人: | 龔成波 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L51/56;H01L23/544 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 監控 襯底 位置 方法 | ||
1.一種監控襯底涂布位置的方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟S1、提供一玻璃基板(1),在所述玻璃基板(1)上涂布柔性襯底材料,形成柔性襯底(2);
步驟S2、在所述柔性襯底(2)和玻璃基板(1)上沉積無機薄膜材料,得到一透明的無機層(3);
步驟S3、在所述無機層(3)上沉積光阻層,對所述光阻層進行圖案化,得到數個與所述玻璃基板(1)的邊緣垂直的條狀的位置監控標記(41);
所述數個位置監控標記(41)圍繞所述玻璃基板(1)的四邊間隔排列,所述玻璃基板(1)的每一條邊對應至少一個位置監控標記(41),每一個位置監控標記(41)的中點到所述玻璃基板(1)的邊緣的距離小于柔性襯底(2)的邊緣到玻璃基板(1)的邊緣的距離的設計值,每一個位置監控標記(41)遠離所述玻璃基板(1)的邊緣的一端到所述玻璃基板(1)的邊緣的距離大于柔性襯底(2)的邊緣到玻璃基板(1)的邊緣的距離的設計值;
每一個位置監控標記(41)均包括:沿所述位置監控標記(41)的延伸方向等距間隔排列的刻度線(411);
步驟S4、拍攝所述玻璃基板(1)上柔性襯底(2)及位置監控標記(41)的畫面,并根據拍攝到的畫面和位置監控標記(41)上的刻度線(411)識別柔性襯底(2)的邊緣到玻璃基板(1)的邊緣的距離的實際值,比較所述柔性襯底(2)的邊緣到玻璃基板(1)的邊緣的距離的實際值和柔性襯底(2)的邊緣到玻璃基板(1)的邊緣的距離的設計值,以監控所述襯底涂布精度;
所述刻度線(411)包括:交替排列的多個主刻度線(4111)和多個副刻度線(4112),所述主刻度線(4111)的高度大于所述副刻度線(4112)的高度;
每一個位置監控標記(41)還包括:對應每一個主刻度線(4111)設置的刻度值(412),所述刻度值(412)表示其所對應的主刻度線(4111)到所述玻璃基板(1)的邊緣的距離。
2.如權利要求1所述的監控襯底涂布位置的方法,其特征在于,所述無機層(3)包括:無機絕緣層(31)、以及位于所述無機絕緣層(31)上的非晶硅層(32)。
3.如權利要求2所述的監控襯底涂布位置的方法,其特征在于,所述無機絕緣層(31)的材料為氧化硅和氮化硅中的一種或多種的組合。
4.如權利要求2所述的監控襯底涂布位置的方法,其特征在于,所述步驟S3中對光阻層圖案化后還得到用于圖案化所述非晶硅層(32)的光阻圖案。
5.如權利要求1所述的監控襯底涂布位置的方法,其特征在于,所述柔性襯底材料為聚酰亞胺。
6.如權利要求1所述的監控襯底涂布位置的方法,其特征在于,相鄰的兩個主刻度線(4111)之間的距離為1mm,相鄰的一個主刻度線(4111)和一個副刻度線(4112)之間的距離為0.5mm。
7.如權利要求1所述的監控襯底涂布位置的方法,其特征在于,所述步驟S4中通過自動光學檢測機臺拍攝所述玻璃基板(1)上柔性襯底(2)及位置監控標記(41)的畫面。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電技術有限公司,未經武漢華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710237323.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:具有壓力感測器的顯示器
- 下一篇:液晶顯示器及其背光模組
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





