[發(fā)明專利]一種用于金屬CMP的集成工藝的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710234771.0
• 申請日: 2017-04-12
• 公開（公告）號: CN107301948B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 紀(jì)志堅;李佩璇;蘇鴻文
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發(fā)明實施例公開了一種制造半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括在襯底上方形成介電層。襯底具有邊緣區(qū)域和中心區(qū)域。方法還包括：在邊緣區(qū)域中形成介電環(huán)、在襯底的中心區(qū)域上方和襯底的邊緣區(qū)域中的介電環(huán)上方形成金屬層、以及拋光中心區(qū)域和邊緣區(qū)域中的金屬層以暴露襯底的邊緣區(qū)域中的介電環(huán)。本發(fā)明實施例涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，具體地涉及用于金屬CMP的集成工藝的方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，具體地涉及用于金屬CMP的集成工藝的方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)經(jīng)歷了高速發(fā)展。IC設(shè)計和材料的技術(shù)進步已產(chǎn)生了幾代IC，其中每代都具有比前一代更小和更復(fù)雜的電路。在IC發(fā)展過程中，功能密度(即每芯片面積上互連器件的數(shù)量)通常增大了而幾何尺寸(即，使用制造工藝可以做出的最小的元件(或線))減小了。

該按比例縮小工藝通常因提高生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本而提供益處。這樣的成比例縮小也增加了處理和制造IC的復(fù)雜程度。為了實現(xiàn)這些進步，需要IC處理和制造中的類似的發(fā)展。盡管制造IC器件的現(xiàn)有方法通常能滿足其預(yù)期目的，但是這些方法不能在所有的方面完全符合要求。例如，期望在拋光工藝期間防止/降低晶圓上的碎片和/或顆粒方面有所改進。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：在襯底上方形成介電層，所述襯底具有邊緣區(qū)域和中心區(qū)域；在所述邊緣區(qū)域中形成介電環(huán)；在所述襯底的所述中心區(qū)域上方和所述襯底的所述邊緣區(qū)域中的所述介電環(huán)上方形成金屬層；以及拋光位于所述中心區(qū)域和所述邊緣區(qū)域中的所述金屬層以暴露位于所述襯底的所述邊緣區(qū)域中的所述介電環(huán)。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，還提供了一種用于金屬化學(xué)機械拋光(CMP)的集成工藝的方法，包括：在襯底上方形成介電層，所述襯底具有邊緣區(qū)域和中心區(qū)域；圖案化所述介電層以在所述襯底的所述邊緣區(qū)域中形成介電環(huán)以及在所述襯底的所述中心區(qū)域內(nèi)的所述介電層內(nèi)形成溝槽；在所述介電層上方和所述溝槽內(nèi)形成金屬層；以及拋光所述金屬層以去除位于所述介電環(huán)上面的所述金屬層和來自所述溝槽內(nèi)的所述金屬層。

根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，還提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：在襯底上方形成介電層，所述襯底具有邊緣區(qū)域和中心區(qū)域；在所述介電層上方形成圖案化的光刻膠層，從而使得所述圖案化的光刻膠層覆蓋所述襯底的所述邊緣區(qū)域并且在所述中心區(qū)域具有多個開口；穿過所述圖案化的光刻膠層蝕刻所述介電層以在所述邊緣區(qū)域中形成介電環(huán)以及在位于所述中心區(qū)域中的所述介電層中形成多個溝槽；在所述介電環(huán)上方和所述多個溝槽內(nèi)形成金屬層；以及實施化學(xué)機械拋光工藝以去除位于所述介電環(huán)上面的所述金屬層和來自所述多個溝槽內(nèi)的所述金屬層。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)當(dāng)注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐，各個部件并非按比例繪制。事實上，為了清楚討論，各個部件的尺寸可以任意增大或減小。

圖1是根據(jù)一些實施例構(gòu)造的用于制造半導(dǎo)體器件的示例性方法的流程圖。

圖2、圖3A、圖3B、圖4A、圖4B、圖5A和圖6是根據(jù)一些實施例的示例性半導(dǎo)體器件的截面圖。

圖3C和圖5B是根據(jù)一些實施例的示例性半導(dǎo)體器件的頂視圖。

具體實施方式

下列公開提供了許多用于實現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實施例或?qū)嵗Ｏ旅鎸⒚枋鲈筒贾玫奶囟▽嵗院喕景l(fā)明。當(dāng)然這些僅僅是實例并不旨在限定本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實施例，也可以包括在第一部件和第二部件之間形成額外的部件使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。而且，本發(fā)明在各個實例中可重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)僅是為了簡明和清楚，其自身并不表示所論述的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。