[發(fā)明專利]一種交聯(lián)納米顆粒薄膜及制備方法與薄膜光電子器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710233270.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108695137B | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳崧;錢磊;楊一行;曹蔚然;向超宇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H01L33/00;H01L29/786;H01L31/08 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;劉文求 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 交聯(lián) 納米 顆粒 薄膜 制備 方法 光電子 器件 | ||
本發(fā)明公開一種交聯(lián)納米顆粒薄膜及制備方法與薄膜光電子器件,其中,包括:將納米顆粒分散在溶劑中,并攪拌均勻,得到納米顆粒溶液;通過溶液法將納米顆粒溶液制成納米顆粒薄膜,并通入組合氣體,促使交聯(lián)反應(yīng)發(fā)生,得到交聯(lián)納米顆粒薄膜。本發(fā)明采用在納米顆粒成膜時(shí),通入組合氣體,促使顆粒之間相互交聯(lián),由此增加顆粒之間的電學(xué)耦合,降低載流子傳輸?shù)膭輭荆黾虞d流子遷移率,從而大幅度提升電學(xué)性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及器件薄膜制備領(lǐng)域,尤其涉及一種交聯(lián)納米顆粒薄膜及制備方法與薄膜光電子器件。
背景技術(shù)
氧化物納米顆粒(或球形氧化物納米晶)具有良好的結(jié)晶程度,這保證了其與體材料(低維材料)相似的光學(xué)、電學(xué)性質(zhì);另一方面,由于納米顆粒自組裝成膜的效果很好,使低成本的涂布制備工藝可以被應(yīng)用。溶液法制備的光電子器件的過程中,納米顆粒是形成相應(yīng)氧化物薄膜的重要解決方案之一。常見的例子包括氧化鋅(ZnOx)納米顆粒,氧化鈦(TiOx)顆粒的薄膜在發(fā)光二極管、薄膜太陽能電池、薄膜晶體管中作為傳輸電子的半導(dǎo)體材料;氧化鎳(NiOx)在同樣器件中作為傳輸空穴的半導(dǎo)體材料。
盡管如此,納米顆粒之間相互堆積形成的薄膜與體材料薄膜仍然存在區(qū)別,這主要體現(xiàn)在載流子的傳輸特性上。雖然納米顆粒內(nèi)部具有良好的結(jié)晶性,但這樣的結(jié)構(gòu)只局限在納米級(jí)別的范圍內(nèi),即便在密排的情況下,納米顆粒之間往往是由絕緣的表面配體填充甚至沒有任何物質(zhì)填充。如此,納米顆粒之間存在相當(dāng)高的載流子傳輸勢壘,載流子在納米顆粒薄膜內(nèi)部的傳輸只能遵循跳躍式傳輸?shù)囊?guī)律,這導(dǎo)致材料在薄膜尺度下表現(xiàn)出的載流子遷移率遠(yuǎn)小于相應(yīng)的體材料薄膜。
因此,現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種交聯(lián)納米顆粒薄膜及制備方法與薄膜光電子器件,旨在解決現(xiàn)有器件薄膜的載流子傳輸勢壘較高,載流子遷移率較低的問題。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種交聯(lián)納米顆粒薄膜的制備方法,其中,包括:
步驟A、將納米顆粒分散在溶劑中,并攪拌均勻,得到納米顆粒溶液;
步驟B、通過溶液法將納米顆粒溶液制成納米顆粒薄膜,并通入組合氣體,促使交聯(lián)反應(yīng)發(fā)生,得到交聯(lián)納米顆粒薄膜。
所述的交聯(lián)納米顆粒薄膜的制備方法,其中,所述組合氣體包括還原性氣體、氧氣、水汽和二氧化碳。
所述的交聯(lián)納米顆粒薄膜的制備方法,其中,還原性氣體偏壓控制在1~100Pa之間,氧氣偏壓控制在0~2×104Pa之間,水汽偏壓控制在0~2×103Pa之間,二氧化碳偏壓控制在0~100Pa之間。
所述的交聯(lián)納米顆粒薄膜的制備方法,其中,所述步驟A中,所述納米顆粒溶液的質(zhì)量濃度為1~100mg/ml。
所述的交聯(lián)納米顆粒薄膜的制備方法,其中,所述納米顆粒為氧化物納米顆粒、硫化物納米顆粒、硒化物納米顆粒、氮化物納米顆粒、氟化物納米顆粒中的一種或多種。
所述的交聯(lián)納米顆粒薄膜的制備方法,其中,所述納米顆粒的平均直徑控制在5nm以內(nèi)。
所述的交聯(lián)納米顆粒薄膜的制備方法,其中,所述溶劑為醇類溶劑。
所述的交聯(lián)納米顆粒薄膜的制備方法,其中,所述步驟B具體包括:
步驟B1、首先將納米顆粒溶液置于密閉的環(huán)境中,通過溶液法將納米顆粒溶液制成納米顆粒薄膜;
步驟B2、然后往密閉的環(huán)境中通入組合氣體,促使交聯(lián)反應(yīng)發(fā)生,得到交聯(lián)納米顆粒薄膜。
所述的交聯(lián)納米顆粒薄膜的制備方法,其中,所述步驟B具體包括:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于TCL科技集團(tuán)股份有限公司,未經(jīng)TCL科技集團(tuán)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710233270.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 一種三重交聯(lián)的膠原蛋白及制造方法和用途
- 新型的含有非肽性交聯(lián)結(jié)構(gòu)的交聯(lián)肽、以及該交聯(lián)肽的合成方法和用于該方法的新型有機(jī)化合物
- 一種可交聯(lián)聚乙烯改性料的制備方法
- 一種交聯(lián)液配制系統(tǒng)
- 一種阻燃交聯(lián)聚烯烴電纜交聯(lián)度的檢測方法
- 交聯(lián)聚乙烯用組合物和交聯(lián)聚乙烯及其制備方法
- 一種交聯(lián)管熱處理設(shè)備
- 一種硅烷和紫外光雙重交聯(lián)低煙無鹵電纜料及其制備方法
- 一種電子交聯(lián)增強(qiáng)的PE薄膜及其制備方法
- 多相交聯(lián)橡膠、制備方法和回收方法





