[發明專利]一種交聯納米顆粒薄膜及制備方法與薄膜光電子器件有效
| 申請號： | 201710233270.0 | 申請日： | 2017-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN108695137B | 公開（公告）日： | 2020-05-05 |
| 發明（設計）人： | 陳崧;錢磊;楊一行;曹蔚然;向超宇 | 申請（專利權）人： | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L33/00;H01L29/786;H01L31/08 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 交聯 納米 顆粒 薄膜 制備 方法 光電子 器件 | ||
1.一種交聯納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，包括：
步驟A、將納米顆粒分散在溶劑中，并攪拌均勻，得到納米顆粒溶液；
步驟B、通過溶液法將納米顆粒溶液制成納米顆粒薄膜，并通入組合氣體，促使交聯反應發生，得到交聯納米顆粒薄膜；
所述組合氣體包括還原性氣體、氧氣、水汽和二氧化碳；
所述還原性氣體為一氧化碳、氫氣和氨氣中的一種。
2.根據權利要求1所述的交聯納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，還原性氣體偏壓控制在1～100Pa之間，氧氣偏壓控制在0～2×104Pa之間，水汽偏壓控制在0～2×103Pa之間，二氧化碳偏壓控制在0～100Pa之間。
3.根據權利要求1所述的交聯納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟A中，所述納米顆粒溶液的質量濃度為1～100mg/ml。
4.根據權利要求1所述的交聯納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，所述納米顆粒為氧化物納米顆粒、硫化物納米顆粒、硒化物納米顆粒、氮化物納米顆粒、氟化物納米顆粒中的一種或多種。
5.根據權利要求1所述的交聯納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，所述納米顆粒的平均直徑控制在5nm以內。
6.根據權利要求1所述的交聯納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，所述溶劑為醇類溶劑。
7.根據權利要求1所述的交聯納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟B具體包括：
步驟B1、首先將納米顆粒溶液置于密閉的環境中，通過溶液法將納米顆粒溶液制成納米顆粒薄膜；
步驟B2、然后往密閉的環境中通入組合氣體，促使交聯反應發生，得到交聯納米顆粒薄膜。
8.根據權利要求1所述的交聯納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟B具體包括：
步驟B1’、首先將納米顆粒溶液置于惰性氣體環境中，通過溶液法將納米顆粒溶液制成納米顆粒薄膜；
步驟B2’、然后將納米顆粒薄膜置于密閉的環境中，往密閉的環境中通入組合氣體，促使交聯反應發生，得到交聯納米顆粒薄膜。
9.根據權利要求1所述的交聯納米顆粒薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟B中，所述交聯納米顆粒薄膜的厚度為15～60nm。
10.一種交聯納米顆粒薄膜，其特征在于，采用如權利要求1～9任一項所述的交聯納米顆粒薄膜的制備方法制備而成。
11.一種薄膜光電子器件，其特征在于，包括如權利要求10所述的交聯納米顆粒薄膜。
12.根據權利要求11所述的薄膜光電子器件，其特征在于，所述薄膜光電子器件為電致發光器件、薄膜光伏、薄膜光探測器、薄膜晶體管中的任意一種。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
