[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710217084.8
• 申請(qǐng)日: 2017-04-05
• 公開（公告）號(hào): CN106997880A
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃賢國(guó);游步東;呂政
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 矽力杰半導(dǎo)體技術(shù)（杭州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/06
• 分類號(hào): H01L27/06;H01L21/8234
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底，

位于所述半導(dǎo)體襯底中的第一摻雜區(qū)，

位于所述半導(dǎo)體襯底表面的第一區(qū)域的隔離層，

位于所述半導(dǎo)體襯底表面的第二區(qū)域的第一介質(zhì)層，

具有圖案化的第一多晶硅層，所述第一多晶硅層的第一部分位于所述第一介質(zhì)層上，所述第一多晶硅層的第二部分位于所述隔離層上，所述多晶硅層的第一部分與第二部分為分離的兩部分，

其中，所述第一摻雜區(qū)用作第一電容的下極板，所述第一多晶硅層的第一部分用作所述第一電容的上極板，所述第一多晶硅層的第二部分用作多晶硅電阻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

位于所述第一多晶硅的第一部分上的第二介質(zhì)層，

位于所述第二介質(zhì)層上的第二多晶硅層，

所述第一多晶硅層的第一部分還用作第二電容的下極板，所述第二多晶硅層用作所述第二電容的上極板。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

與所述第一摻雜區(qū)電連接的第一電極，

與所述第一多晶硅層的第一部分電連接的第二電極，

與所述第二多晶硅層電連接的第三電極，

分別與所述第一多晶硅層的第二部分的兩端電連接的第四電極和第五電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電容為MOS電容。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極與第三電極電連接。

6.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體襯底表面的第一區(qū)域上形成隔離層，

在所述半導(dǎo)體襯底表面依次形成第一介質(zhì)層和第一多晶硅層，

圖案化所述第一多晶硅層，使得所述第一多晶硅層形成兩個(gè)彼此分離的第一部分和第二部分，且使得所述第一多晶硅層的第一部分位于所述半導(dǎo)體襯底表面的第二區(qū)域上的所述第一介質(zhì)層上，所述第一多晶硅層的第二部分位于所述隔離層上，

在所述半導(dǎo)體襯底中形成第一摻雜區(qū)，

其中，所述第一摻雜區(qū)用作第一電容的下極板，所述第一多晶硅層的第一部分用作所述第一電容的上極板，所述第一多晶硅層的第二部分用作多晶硅電阻。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，還包括：

在所述第一多晶硅層的第一部分上形成第二介質(zhì)層，

以及在所述第二介質(zhì)層上形成第二多晶硅層，使得所述第一多晶硅層的第一部分還用作第二電容的下極板，所述第二多晶硅層用作所述第二電容的上極板。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，還包括：

形成與所述第一摻雜區(qū)電連接的第一電極，

形成與所述第一多晶硅層的第一部分電連接的第二電極，

形成與所述第二多晶硅層電連接的第三電極，

形成分別與所述第一多晶硅層的第二部分的兩端電連接的第四電極和第五電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，還包括：

在形成所述第一多晶硅層之后，且在圖案化所述第一多晶硅層之前，對(duì)所述第一多晶硅層進(jìn)行離子注入工藝處理，以調(diào)節(jié)所述第一多晶硅層的摻雜濃度。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，還包括：

在圖案化所述第一多晶硅層之后，對(duì)所述第一多晶硅層的第二部分進(jìn)行離子注入工藝，以調(diào)節(jié)所述第一多晶硅層的第二部分的摻雜濃度。