[發(fā)明專利]IC退化管理電路、系統(tǒng)和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710214288.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107450010A | 公開(公告)日: | 2017-12-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 康伯堅(jiān);張智賢;周文升;彭永州 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李偉 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | ic 退化 管理 電路 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種IC退化管理傳感器,包括:
奇數(shù)個(gè)第一邏輯門,電連接為環(huán)形振蕩器結(jié)構(gòu),
每個(gè)第一邏輯門具有輸入和輸出,其中,每個(gè)第一邏輯門進(jìn)一步包括:
第一PMOS晶體管;
第一NOMS晶體管;和
第二邏輯門,具有輸入和輸出,
其中,所述第二邏輯門的輸入是所述第一邏輯門的輸入;
其中,所述第一PMOS晶體管和所述第一NMOS晶體管的漏極電連接到所述第二邏輯門的輸出,并且所述第二邏輯門的輸出是所述第一邏輯門的輸出。
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- 同類專利
- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
- 集成電路的退化分析方法及裝置
- 基于退化量分布非平穩(wěn)時(shí)序分析的加速退化試驗(yàn)產(chǎn)品壽命預(yù)測(cè)方法
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- 一種河谷草地退化情況的信息數(shù)據(jù)采集及分析方法
- 一種非線性退化設(shè)備剩余壽命預(yù)測(cè)方法及系統(tǒng)
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- 旋轉(zhuǎn)光學(xué)衛(wèi)星影像退化信息感知與復(fù)原方法及系統(tǒng)
- 一種基于多退化指標(biāo)的復(fù)雜設(shè)備剩余壽命預(yù)測(cè)方法
- 一種考慮產(chǎn)品分散性的退化機(jī)理辨識(shí)方法





