[發明專利]浸沒式光刻機基底臺系統、浸沒式光刻機在審
| 申請號: | 201710208691.8 | 申請日: | 2017-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN108663906A | 公開(公告)日: | 2018-10-16 |
| 發明(設計)人: | 魏龍飛;叢國棟;方潔 | 申請(專利權)人: | 上海微電子裝備(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 201203 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 浸沒式光刻機 基底臺 伸縮橋 浸沒液體 光刻 投影物鏡 伸長 側邊接合 生產效率 無縫銜接 裝置移動 磁力 光刻機 垂向 移動 支撐 | ||
本發明提供的浸沒式光刻機基底臺系統及浸沒式光刻機,在浸沒式光刻機基底臺系統中設置兩個可以移動的分動臺,在分動臺的側邊上設置伸縮橋裝置,該伸縮橋裝置伸長時可與另一個分動臺的側邊接合,這樣當投影物鏡以及浸沒液體在一個分動臺上光刻完成后,可以經過伸長后的伸縮橋裝置移動至另一個分動臺,也就是說伸縮橋裝置在兩個分動臺之間為浸沒液體提供的垂向支撐,而浸沒液體在投影物鏡下本身通過磁力可維持水平方向的形狀,使用包含這種浸沒式光刻機基底臺系統的光刻機,使得光刻時兩個分動臺上的光刻可以無縫銜接,提高了生產效率。
技術領域
本發明涉及半導體領域,特別涉及一種浸沒式光刻機基底臺系統、浸沒式光刻機。
背景技術
浸沒式光刻技術需要在光刻機投影物鏡最后一個透鏡的下表面與硅片上的光刻膠之間充滿高折射率的浸沒液體。投影物鏡的數值孔徑NA=nsinθ,其中,n為投影物鏡與硅片之間介質的折射率,θ為光線最大入射角。在最大入射角相同的情況下,浸沒式光刻系統的數值孔徑比傳統光刻系統增大了n倍。而從傅里葉光學的角度,數值孔徑扮演著空間頻率低通濾波器閾值的角色,注入高折射率的浸沒液體可以使更高空間頻率的光波入射到光刻膠上,因此成像分辨率得以提高。
雙工件臺光刻機的采用,使得“干式測量,浸沒曝光”成為可能:即硅片在測量位置完成“干式”測量,在得到硅片的精確三維形貌后,利用雙工件臺光刻機特有的檢焦算法可以預先得到硅片的離焦量,繼而在曝光位置無需再進行調平調焦測量即可將硅片定位到理想焦面完成浸沒曝光,實現了雙工件臺技術與浸沒曝光技術的無縫銜接。
但使用雙工件臺光刻機時,如何在雙臺交換時維持浸沒液場是急需解決的問題。
發明內容
為解決上述問題,本發明提出了一種浸沒式光刻機基底臺系統、浸沒式光刻機,在基底臺系統的一個或多個分動臺上設置伸縮橋裝置,其能和另一個分動臺的側邊接合,使得投影物鏡和浸沒液體通過伸縮橋裝置能移動至另一個分動臺上。
為達到上述目的,本發明提供一種浸沒式光刻機基底臺系統,位于浸沒系統下方,所述浸液系統維持浸沒液體,所述浸沒式光刻機基底臺系統包括兩個或兩個以上用于承載基底的分動臺,所述分動臺中的一個或多個的側面固定有伸縮橋裝置,當所述伸縮橋裝置伸展時,所述伸縮橋裝置將兩個所述分動臺的側邊皆接合,使所述浸沒液體從一個分動臺上轉移至另一個分動臺上。
作為優選,所述伸縮橋裝置伸展時,所述伸縮橋裝置的表面與所述分動臺的臺面位于同一個平面。
作為優選,所述伸縮橋裝置為伸縮板結構,所述伸縮橋裝置通過鉸鏈固定在所述分動臺的側面。
作為優選,每個所述伸縮橋裝置與其鉸接固定的分動臺的側邊之間設置有密封條。
作為優選,所述伸縮橋裝置由若干個伸縮板主體相互鉸接形成。
作為優選,所述伸縮橋裝置由兩個分伸縮橋裝置組成,兩個所述分伸縮橋裝置分別設置在兩個所述分動臺相對的側面。
浸沒式光刻機基底臺系統,作為優選,所述伸縮板主體間設置有
密封條。
作為優選,每個所述分動臺上還設置有用于驅動所述伸縮橋裝置伸縮的驅動裝置。
作為優選,所述驅動裝置包括動力氣缸。
作為優選,所述驅動裝置、所述鉸鏈與所述伸縮橋裝置組成曲柄滑塊機構。
作為優選,所述伸縮橋裝置的寬度大于所述浸沒液體形成的浸沒液場的直徑。
作為優選,任一所述分動臺從下至上包括一粗動臺和跟隨所述粗動臺運動的微動臺,所述伸縮橋裝置設置在所述微動臺側面,所述伸縮橋裝置伸長至與另一個分動臺的微動臺的側邊接合時,所述伸縮橋裝置的表面與所述微動臺的臺面位于同一平面。
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