[發明專利]反射式光子晶體彩膜、使用其的顯示器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201710207768.X
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN106773279A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 孟憲芹;楊亞鋒;呂敬;陳小川;王維;譚紀風;孟憲東;田允允;高健
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司11438
• 代理人: 邢雪紅,王衛忠

1.一種反射式光子晶體彩膜，包括；

基底；

形成在基底上且在基底表面上周期性分布的二維光子晶體結構，其中所述二維光子晶體結構由包含硅的材料構成。

2.根據權利要求1所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結構為柱狀或孔狀結構。

3.根據權利要求2所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結構為圓柱或方塊結構。

4.根據權利要求2所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結構為圓孔或方孔結構。

5.根據權利要求3所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結構為圓柱結構，所述二維光子晶體結構的周期為330-450nm，所述二維光子晶體結構的占空比為20-30％，其中圓柱的高度為110-130nm，圓柱的直徑為190-210nm。

6.根據權利要求4所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結構為圓孔結構，所述二維光子晶體結構的周期為240-280nm，所述二維光子晶體結構的占空比為20-30％，其中圓孔的深度為110-130nm，圓孔的直徑為125-145nm。

7.根據權利要求4所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結構為圓孔結構，所述二維光子晶體結構的周期為120-200nm，所述二維光子晶體結構的占空比為20-30％，其中圓孔的深度為90-110nm，圓孔的直徑為90-110nm。

8.根據權利要求3所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結構為圓柱結構，所述二維光子晶體結構的周期為210-230nm，所述二維光子晶體結構的占空比為20-30％，其中圓柱的高度為90-110nm，圓柱的直徑為110-130nm。

9.根據權利要求8所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結構的周期為220nm，所述圓柱的高度為100nm，所述圓柱的直徑為124nm。

10.根據權利要求3所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結構為圓柱結構，所述二維光子晶體結構的周期為290-320nm，所述二維光子晶體結構的占空比為20-30％，其中圓柱的高度為110-130nm，圓柱的直徑為160-180nm。

11.根據權利要求10所述的反射式光子晶體彩膜，其特征在于，所述二維光子晶體結構的周期為300nm，所述圓柱的高度為120nm，所述圓柱的直徑為170nm。

12.一種反射式光子晶體彩膜的制造方法，包括：

形成基底；

在基底上形成由包含硅的材料構成的薄膜；以及

通過對所述薄膜進行曝光蝕刻得到在基底表面上周期性分布的二維光子晶體結構。

13.根據權利要求12所述的反射式光子晶體彩膜的制造方法，其特征在于，所述二維光子晶體結構為柱狀或孔狀結構。

14.一種顯示器件，包括：根據權利要求1-11所述的反射式光子晶體彩膜；形成在所述反射式光子晶體彩膜上的液晶；形成在所述液晶上的前置光源。

15.一種顯示器件的制造方法，包括：

形成根據權利要求1-11所述的反射式光子晶體彩膜；

在所述反射式光子晶體彩膜上形成液晶；以及

在所述液晶上形成前置光源。