[發(fā)明專利]顯示裝置以及電子裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710205683.8 | 申請日: | 2017-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN106920831B | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳劍龍;范文志 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09F9/33 |
| 代理公司: | 31237 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 智云<國際申請>=<國際公布>=<進(jìn)入國 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 以及 電子 裝置 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,包括:
基板;
像素限定層,設(shè)置在所述基板上,其中,所述像素限定層限定出多個(gè)像素區(qū)域和多個(gè)非像素區(qū)域;
主柱,設(shè)置在所述像素限定層上,并位于所述非像素區(qū)域;以及
輔柱,位于所述非像素區(qū)域,并位于所述主柱和像素區(qū)域之間,所述輔柱的高度低于所述主柱的高度,且所述輔柱的高度高于所述像素限定層的高度,所述像素限定層在所述像素區(qū)域具有像素開口,所述像素限定層在所述非像素區(qū)域具有輔柱開口,至少部分所述輔柱位于所述輔柱開口中。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述輔柱和主柱的材料相同。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述輔柱設(shè)置在所述像素限定層上,所述輔柱的厚度小于所述主柱的厚度。
4.如權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的顯示裝置,其特征在于,所述輔柱圍繞在所述主柱的四周。
5.如權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置還包括一蓋板,所述蓋板覆蓋所述主柱、輔柱和像素限定層,所述主柱支撐所述蓋板。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置還包括陰極膜層,所述陰極膜層覆蓋所述主柱和輔柱,所述陰極膜層隔離所述主柱和所述蓋板,并隔離所述輔柱和所述蓋板。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置還包括多個(gè)像素,每個(gè)所述像素位于一個(gè)所述像素區(qū)域內(nèi)的基板上,所述陰極膜層覆蓋所述像素,所述輔柱的高度高于所述像素的高度。
8.如權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的顯示裝置,其特征在于,所述輔柱的高度比所述主柱的高度低10nm~2μm。
9.一種包括如權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述顯示裝置的電子裝置。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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