[發明專利]硅外延反應腔用梯形基座

在審

• 申請號: 201710202521.9
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN106906455A
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發明（設計）人: 侯志義;陳秉克;趙麗霞;袁肇耿;薛宏偉;任麗翠
• 申請（專利權）人: 河北普興電子科技股份有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/455;C30B25/12;C30B25/14
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所13120
• 代理人: 王占華

1.一種硅外延反應腔用梯形基座，包括梯形基座本體（1），所述梯形基座本體（1）為筒狀多面體結構，所述基座本體的每個側面上從上到下設有硅片放置槽（2），其特征在于：所述基座本體相鄰兩個側面的連接面上設有檔條（3）。

2.如權利要求1所述的硅外延反應腔用梯形基座，其特征在于：所述檔條（3）設有兩根，沿所述連接面的上、下方向設置。

3.如權利要求2所述的硅外延反應腔用梯形基座，其特征在于：每個連接面上的兩根檔條（3）之間設有空隙。

4.如權利要求1所述的硅外延反應腔用梯形基座，其特征在于：所述檔條（3）的橫截面為正方形。

5.如權利要求1所述的硅外延反應腔用梯形基座，其特征在于：所述硅片放置槽（2）設有兩個。

6.如權利要求5所述的硅外延反應腔用梯形基座，其特征在于：所述兩個硅片放置槽（2）靠近所述基座本體的下側設置。