[發明專利]一種晶體硅及其制備方法

在審

• 申請號: 201710200003.3
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN106987901A
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: 陳紅榮;胡動力;徐云飛;孫庚昕;何亮
• 申請（專利權）人: 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B28/06;C30B27/00
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強

1.一種晶體硅的制備方法，其特征在于，包括：

在坩堝中填裝熔融狀態的硅熔體，然后調節溫度，進入長晶階段，在所述長晶過程中，向所述坩堝內持續或間斷地通入空氣直至長晶結束，所述空氣的流量為1L/min-6L/min，經退火冷卻后，得到晶體硅。

2.如權利要求2所述的晶體硅的制備方法，其特征在于，所述空氣的流量為3L/min-4L/min。

3.如權利要求1所述的晶體硅的制備方法，其特征在于，所述間斷地通入空氣的操作為：每隔5min-60min通入一次所述空氣，每次通入的時間為5min-60min。

4.如權利要求3所述的晶體硅的制備方法，其特征在于，所述間斷地通入空氣的操作為：每隔10min-30min通入一次所述空氣，每次通入的時間為10min-30min。

5.如權利要求1所述的晶體硅的制備方法，其特征在于，在所述長晶階段中，向所述坩堝內持續通入氬氣，所述氬氣的流量為10L/min-60L/min。

6.如權利要求1所述的晶體硅的制備方法，其特征在于，所述空氣與所述氬氣的流量比為1:1.67-1:60。

7.如權利要求1所述的晶體硅的制備方法，其特征在于，在所述長晶階段中，所述坩堝內的壓力為400mbar-800mbar。

8.如權利要求1所述的晶體硅的制備方法，其特征在于，所述空氣來源于大氣或壓縮空氣。

9.一種晶體硅，其特征在于，按照如權利要求1-8中任一項所述的制備方法制得。

10.如權利要求9所述的晶體硅，其特征在于，所述晶體硅的雜質不良率平均為0.5％以下，所述晶體硅中少子壽命低于4μs的區域占整個所述晶體硅的平均比例為6％以下。