[發(fā)明專利]一種經(jīng)由細(xì)胞片層獲得的導(dǎo)電細(xì)胞外基質(zhì)復(fù)合薄膜及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710198946.7
• 申請日: 2017-03-29
• 公開（公告）號: CN106963987B
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程逵;王小召;陳樽;翁文劍
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號: A61L27/38
• 分類號: A61L27/38;A61L27/56;A61L27/58;A61L27/12;A61L27/50;A61L27/36
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200
• 代理人: 萬尾甜;韓介梅

1.一種經(jīng)由細(xì)胞片層獲得導(dǎo)電細(xì)胞外基質(zhì)復(fù)合薄膜的方法，其特征在于，制備方法包括如下步驟：

(a). 對涂有TiO₂納米點薄膜的表面以紫外光照或蒸氣消毒方式消毒；

(b). 將上述經(jīng)處理后的表面作為體外細(xì)胞培養(yǎng)表面，在其表面以5×10⁴~2×10⁶個/cm²的密度種植細(xì)胞，加入細(xì)胞培養(yǎng)基，并放入37℃恒溫及5%二氧化碳的細(xì)胞培養(yǎng)箱中培養(yǎng)7~15天；1~3天換液一次，在細(xì)胞脫附前1~5天加入1~100 μg/mL納米導(dǎo)電物質(zhì)，最終在細(xì)胞培養(yǎng)表面上形成完整的細(xì)胞片層；

(c). 將經(jīng)上述培養(yǎng)后的培養(yǎng)表面移入PBS中，通過波長為365 nm的紫外光光照5~30min，使培養(yǎng)后的細(xì)胞或細(xì)胞薄層脫附，用PBS緩沖液以及去離子水對脫附后的細(xì)胞片層反復(fù)清洗；

(d). 將細(xì)胞片層浸泡于去離子水中，置于-80℃冷凍30~60 min，取出后在25~37℃解凍20~45 min，冷凍-解凍循環(huán)重復(fù)3~10次，之后用去離子水清洗，獲得導(dǎo)電細(xì)胞外基質(zhì)復(fù)合薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)由細(xì)胞片層獲得導(dǎo)電細(xì)胞外基質(zhì)復(fù)合薄膜的方法，其特征在于，所述的納米導(dǎo)電物質(zhì)為石墨烯納米片、石墨烯納米點、納米碳纖維、單壁碳納米管、多壁碳納米管、納米碳顆粒、碳量子點、納米金顆粒、納米銀顆粒中的一種或多種。

3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的經(jīng)由細(xì)胞片層獲得導(dǎo)電細(xì)胞外基質(zhì)復(fù)合薄膜的方法，其特征在于，所述的石墨烯納米片尺寸為0.5~2 μm，厚度為0.8~2 nm；石墨烯納米點的尺寸為5~10nm；納米碳纖維的直徑為50~200 nm；單壁碳納米管的直徑為1~2 nm，長度1~3μm；多壁碳納米管的直徑為1~50 nm, 長度0.5~2μm；碳量子點的尺寸為3~5 nm；納米金顆粒的直徑為10~50 nm；納米銀顆粒的直徑為10~100 nm。

4.一種導(dǎo)電細(xì)胞外基質(zhì)復(fù)合薄膜，其特征在于，采用如權(quán)利要求1所述的方法制備而成，厚度為3~10μm。