[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710195980.9
• 申請(qǐng)日: 2017-03-29
• 公開（公告）號(hào): CN107275401B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 森田健士;津村和宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;鄧毅

1.一種半導(dǎo)體裝置，其具有N溝道型MOS晶體管，該N溝道型MOS晶體管包含下述部分：

場(chǎng)氧化膜和柵氧化膜，它們被設(shè)置于半導(dǎo)體襯底上；

柵極，其被設(shè)置于所述柵氧化膜的上方，該柵極的一端被配置成延伸至所述場(chǎng)氧化膜上；

N型高濃度源區(qū)域，其被設(shè)置于所述柵極的另一端；

溝道區(qū)域，其被所述場(chǎng)氧化膜的一個(gè)端部和所述N型高濃度源區(qū)域夾著，且設(shè)置于所述柵氧化膜的下方；N型高濃度漏區(qū)域，其被設(shè)置于所述場(chǎng)氧化膜的處于所述一個(gè)端部的相反側(cè)的另一個(gè)端部；以及

多個(gè)電場(chǎng)緩和區(qū)域，它們處于所述場(chǎng)氧化膜的下方，且被設(shè)置于所述N型高濃度漏區(qū)域的周圍，

其特征在于，

所述多個(gè)電場(chǎng)緩和區(qū)域具有：

縱向的電場(chǎng)緩和區(qū)域，其具有從所述N型高濃度漏區(qū)域朝向下方減小的3種不同的雜質(zhì)濃度；

橫向的電場(chǎng)緩和區(qū)域，其具有從所述N型高濃度漏區(qū)域朝向所述溝道區(qū)域減小的3種不同的雜質(zhì)濃度；以及

雜質(zhì)濃度最低的電場(chǎng)緩和區(qū)域，其與所述縱向的電場(chǎng)緩和區(qū)域和所述橫向的電場(chǎng)緩和區(qū)域相接，

所述多個(gè)電場(chǎng)緩和區(qū)域是N型中濃度擴(kuò)散區(qū)域與P型阱區(qū)域相重疊的區(qū)域、和第1N型阱區(qū)域與第2N型阱區(qū)域相重疊的區(qū)域，

所述P型阱區(qū)域包含所述溝道區(qū)域，

所述第1N型阱區(qū)域與所述P型阱區(qū)域相鄰，

所述第2N型阱區(qū)域與所述P型阱區(qū)域及所述第1N型阱區(qū)域相重疊，并且所述第2N型阱區(qū)域形成為比所述第1N型阱區(qū)域淺，

所述N型中濃度擴(kuò)散區(qū)域與所述P型阱區(qū)域、所述第1N型阱區(qū)域及所述第2N型阱區(qū)域相重疊，并且所述N型中濃度擴(kuò)散區(qū)域比所述第2N型阱區(qū)域淺且形成于所述場(chǎng)氧化膜的正下方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第2N型阱區(qū)域不與延伸到所述場(chǎng)氧化膜上的所述柵極重疊。

3.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述半導(dǎo)體裝置具有N溝道型MOS晶體管，該N溝道型MOS晶體管包含下述部分：

場(chǎng)氧化膜和柵氧化膜，它們被設(shè)置于半導(dǎo)體襯底上；

柵極，其被設(shè)置于所述柵氧化膜的上方，該柵極的一端被配置成延伸至所述場(chǎng)氧化膜上；

N型高濃度源區(qū)域，其被設(shè)置于所述柵極的另一端；

溝道區(qū)域，其被所述場(chǎng)氧化膜的一個(gè)端部和所述N型高濃度源區(qū)域夾著，且設(shè)置于所述柵氧化膜的下方；

N型高濃度漏區(qū)域，其被設(shè)置于所述場(chǎng)氧化膜的處于所述一個(gè)端部的相反側(cè)的另一個(gè)端部；以及

多個(gè)電場(chǎng)緩和區(qū)域，它們處于所述場(chǎng)氧化膜的下方，且被設(shè)置于所述N型高濃度漏區(qū)域的周圍，

其特征在于，

所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包含下述工序：

在半導(dǎo)體襯底的表面形成P型阱區(qū)域和第1N型阱區(qū)域的工序；

以比所述第1N型阱區(qū)域淺的方式形成第2N型阱區(qū)域的工序；

在場(chǎng)氧化膜的形成區(qū)域的下方離子注入N型雜質(zhì)，并使該N型雜質(zhì)氧化擴(kuò)散而同時(shí)形成所述場(chǎng)氧化膜和N型中濃度擴(kuò)散區(qū)域的工序；

在不存在所述場(chǎng)氧化膜的區(qū)域形成溝道區(qū)域的工序；

在所述溝道區(qū)域的表面形成柵氧化膜的工序；

在所述柵氧化膜的上方形成柵極的工序；

將所述柵極和所述場(chǎng)氧化膜作為掩膜，離子注入高濃度的N型雜質(zhì)而形成N型高濃度源區(qū)域和N型高濃度漏區(qū)域的工序；

層間絕緣膜形成工序；

接觸孔形成工序；

配線工序；以及

保護(hù)膜形成工序，

所述多個(gè)電場(chǎng)緩和區(qū)域是N型中濃度擴(kuò)散區(qū)域與P型阱區(qū)域相重疊的區(qū)域、和第1N型阱區(qū)域與第2N型阱區(qū)域相重疊的區(qū)域，

所述P型阱區(qū)域包含所述溝道區(qū)域，

所述第1N型阱區(qū)域與所述P型阱區(qū)域相鄰，

所述第2N型阱區(qū)域與所述P型阱區(qū)域及所述第1N型阱區(qū)域相重疊，并且所述第2N型阱區(qū)域形成為比所述第1N型阱區(qū)域淺，

所述N型中濃度擴(kuò)散區(qū)域與所述P型阱區(qū)域、所述第1N型阱區(qū)域及所述第2N型阱區(qū)域相重疊，并且所述N型中濃度擴(kuò)散區(qū)域比所述第2N型阱區(qū)域淺且形成于所述場(chǎng)氧化膜的正下方。