[發(fā)明專利]一種非平面基底材料的真空鍍膜方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710188514.8
• 申請日: 2017-03-27
• 公開（公告）號: CN106893994A
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳海燕
• 申請（專利權(quán)）人: 德施普科技發(fā)展溫州有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/02
• 代理公司: 北京富天文博興知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11272
• 代理人: 劉壽椿

1.一種非平面基底材料的真空鍍膜方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1，使用流速為1m/s～50m/s、口部直徑為2mm～10mm的加壓水槍對非平面基底材料的表面進(jìn)行清洗2次～3次，每次清洗15min～30min，清洗潔凈后采用金屬噴槍對非平面基底材料的表面進(jìn)行涂布操作，得到涂布后的非平面基底材料；

步驟S2，將步驟S1得到的涂布后的非平面基底材料移至真空鍍膜機(jī)中，將靶材固定為圓心，使涂布后的非平面基底材料環(huán)繞靶材做平面圓周公轉(zhuǎn)運(yùn)動，同時(shí)以涂布后的非平面基底材料對稱中心為軸心使涂布后的非平面基底材料自轉(zhuǎn)運(yùn)動；

步驟S3，將真空鍍膜機(jī)抽取真空度至5×10^-5Pa～8×10^-5Pa，調(diào)節(jié)溫度為20℃～30℃，依次啟動高壓直流電源和環(huán)形磁場，使產(chǎn)生的高能電子轟擊靶材，形成濺射原子，進(jìn)行磁控濺射，均勻的沉積在涂布后的非平面基底材料表面形成鍍膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非平面基底材料的真空鍍膜方法，其特征在于，步驟S1中，所述非平面基底材料的外觀形狀為：圓柱形、球形、具有對稱中心的旋轉(zhuǎn)體中的任一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非平面基底材料的真空鍍膜方法，其特征在于，步驟S1中，所述涂布操作時(shí)涂布的金屬為：純金或者純銀，平均涂布厚度為5nm～20nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非平面基底材料的真空鍍膜方法，其特征在于，步驟S1中，所述涂布后的非平面基底材料的表面平整度不大于0.2μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非平面基底材料的真空鍍膜方法，其特征在于，步驟S2中，所述公轉(zhuǎn)運(yùn)動的周期為：100s～120s。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非平面基底材料的真空鍍膜方法，其特征在于，步驟S2中，所述自轉(zhuǎn)運(yùn)動的周期為：20s～40s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非平面基底材料的真空鍍膜方法，其特征在于，步驟S3中，所述高壓直流電場的電場強(qiáng)度為：1.0×10⁵伏特/米～1.8×10⁵伏特/米。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非平面基底材料的真空鍍膜方法，其特征在于，步驟S3中，所述環(huán)形磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為：1×10^-3特斯拉～20×10^-3特斯拉。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非平面基底材料的真空鍍膜方法，其特征在于，步驟S3中，所述磁控濺射的功率密度為：0.5W/cm²～30W/cm²。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非平面基底材料的真空鍍膜方法，其特征在于，步驟S3中，所述鍍膜的平均厚度為：20nm～100nm。