[發(fā)明專利]一種改善OLED像素缺陷的結(jié)構(gòu)及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710184448.7 | 申請日: | 2017-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN108630729A | 公開(公告)日: | 2018-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林哲瑋 | 申請(專利權(quán))人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201506 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 間隔物 不連續(xù) 顯示器技術(shù)領(lǐng)域 像素定義層 缺陷擴大 定義層 反應(yīng)時 水氣 側(cè)壁 鍍膜 刮傷 減小 膜層 蒸鍍 入侵 制作 | ||
本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種改善OLED像素缺陷的結(jié)構(gòu)及方法,通過在OLED像素定義層上制作側(cè)壁與底部之間的夾角大于90°的間隔物,以在OLED材料蒸鍍時,在間隔物與像素定義層之間生成不連續(xù)的膜層;進而在入侵的水氣與間隔物上刮傷的材料發(fā)生反應(yīng)時,該反應(yīng)會停止于鍍膜不連續(xù)的區(qū)域,進而防止缺陷擴大,減小RA失效的風險。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種改善OLED像素缺陷的結(jié)構(gòu)及方法。
背景技術(shù)
OLED即有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode),具備自發(fā)光、高亮度、寬視角、高對比度、可撓曲、低能耗等特性,因此受到廣泛的關(guān)注,并作為新一代的顯示方式,已開始逐漸取代傳統(tǒng)液晶顯示器,被廣泛應(yīng)用在手機屏幕、電腦顯示器、全彩電視等。
目前,一般OLED像素定義層(pixel define layer,簡稱PDL)上會制作間隔物(Spacer,簡稱SP),其主要目的為防止OLED材料蒸鍍時,精細金屬掩模(Fine Metal Mask,簡稱FMM)與像素直接接觸,導(dǎo)致像素刮傷產(chǎn)生缺陷(Defect)。然而雖然由于間隔物的存在,F(xiàn)MM不會直接刮傷像素,但間隔物上的材料還是會被刮傷,而間隔物上若有刮傷會使得材料表面不平整,遇上較具活性的蒸鍍材料(例如:Mg,Yb),會導(dǎo)致水氣入侵,直接傷害到像素,生成缺陷,進而導(dǎo)致RA(Reliability Analysis Test,可靠度分析測試)失效,這是本領(lǐng)域技術(shù)人員所不期望見到的。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述存在的問題,本發(fā)明公開了一種改善OLED像素缺陷的結(jié)構(gòu),其中,包括:
襯底;
若干像素定義層,設(shè)置于所述襯底之上;
間隔物,設(shè)置于所述像素定義層上,且所述間隔物的側(cè)壁與所述間隔物的底部之間的夾角大于90°;以及
OLED材料層,設(shè)置于所述襯底、所述像素定義層以及所述間隔物的上表面,且所述OLED材料層在所述間隔物和所述像素定義層之間呈現(xiàn)非連續(xù)斷面。
上述的改善OLED像素缺陷的結(jié)構(gòu),其中,所述間隔物的橫截面形狀為倒等腰梯形。
上述的改善OLED像素缺陷的結(jié)構(gòu),其中,所述OLED材料層包括若干發(fā)光單元和共通層;
所述發(fā)光單元設(shè)置于相鄰所述像素定義層之間;
所述共通層設(shè)置于所述發(fā)光單元、所述像素定義層和所述間隔物的表面。
上述的改善OLED像素缺陷的結(jié)構(gòu),其中,所述若干發(fā)光單元發(fā)射至少包括分別用以發(fā)射三種不同顏色的光的第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元。
上述的改善OLED像素缺陷的結(jié)構(gòu),其中,所述共通層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和陰極;
所述空穴注入層設(shè)置于所述襯底之上;
所述空穴傳輸層設(shè)置于所述空穴注入層和所述若干發(fā)光單元之間;
所述電子傳輸層設(shè)置于所述若干發(fā)光單元和所述電子注入層之間;以及
所述陰極設(shè)置于所述電子注入層之上。
還提出了一種改善OLED像素缺陷的方法,其中,包括:
提供一襯底;
于所述襯底之上形成若干像素定義層;
于所述像素定義層之上形成間隔物,且所述間隔物的側(cè)壁與所述間隔物的底部之間的夾角大于90°;以及
繼續(xù)于所述襯底之上蒸鍍OLED材料層,且所述OLED材料層在所述間隔物和所述像素定義層之間的區(qū)域有間斷。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





