[發(fā)明專利]一種石墨烯/銀納米花/PMMA“三明治”結(jié)構(gòu)柔性SERS基底及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710184230.1 | 申請日: | 2017-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN107014799B | 公開(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 姜守振;仇恒偉;滿寶元;張超;焦揚(yáng);郁菁 | 申請(專利權(quán))人: | 山東師范大學(xué) |
| 主分類號: | G01N21/65 | 分類號: | G01N21/65 |
| 代理公司: | 濟(jì)南圣達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221 | 代理人: | 張曉鵬 |
| 地址: | 250014 *** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 石墨 納米 pmma 三明治 結(jié)構(gòu) 柔性 sers 基底 及其 制備 方法 | ||
1.一種石墨烯/銀納米花/PMMA“三明治”結(jié)構(gòu)柔性SERS基底,其特征在于:包括單層石墨烯、生長于單層石墨烯表面的銀納米花層以及覆蓋在銀納米花層表面的PMMA薄膜,使得銀納米花層夾在單層石墨烯與PMMA薄膜之間;
所述石墨烯/銀納米花/PMMA“三明治”結(jié)構(gòu)柔性SERS基底的制備方法,由以下步驟組成:在銅箔上生長單層石墨烯,用微電流輔助的化學(xué)還原法在單層石墨烯表面生長一層銀納米花,然后在銀納米花層上覆蓋一層PMMA薄膜,最后腐蝕去除銅箔,即得;
所述微電流輔助的化學(xué)還原法生長銀納米花,具體包括如下步驟:以石墨烯/銅箔復(fù)合物作為負(fù)極,以銀箔作為正極,電流大小為50~200μA/cm,輔助電解液為濃度1.5~2g/L的AgNO3溶液和濃度10~15g/L的檸檬酸的混合液,反應(yīng)10~70s,得到銀納米花層;
所述銅箔利用腐蝕去除,腐蝕液為FeCl3溶液,腐蝕液的濃度為0.5~1M,腐蝕反應(yīng)溫度為10~20℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SERS基底,其特征在于:單層石墨烯的生長方法為化學(xué)氣相沉積生長方法。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SERS基底,其特征在于:電流大小為140~180μA/cm,生長時間為40~60s。
4.一種生物傳感器,其特征在于:包括權(quán)利要求1-3任一所述石墨烯/銀納米花/PMMA“三明治”結(jié)構(gòu)柔性SERS基底。
5.權(quán)利要求1-3任一所述的石墨烯/銀納米花/PMMA“三明治”結(jié)構(gòu)柔性SERS基底在物質(zhì)原位痕量檢測中的應(yīng)用。
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G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





