[發(fā)明專利]壓力傳感器、高度計(jì)、電子設(shè)備以及移動(dòng)體在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710183633.4 | 申請日: | 2017-03-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107238462A | 公開(公告)日: | 2017-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 竹內(nèi)淳一;松沢勇介;四谷真一 | 申請(專利權(quán))人: | 精工愛普生株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G01L9/00 | 分類號(hào): | G01L9/00 |
| 代理公司: | 北京金信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11225 | 代理人: | 蘇萌萌,范文萍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 壓力傳感器 高度計(jì) 電子設(shè)備 以及 移動(dòng) | ||
1.一種壓力傳感器,其特征在于,具有:
隔膜,其通過受壓而撓曲變形;以及
位移限制部,其對所述隔膜的變形進(jìn)行限制,
在所述隔膜受到可測量范圍內(nèi)的壓力的第一狀態(tài)下,所述隔膜與所述位移限制部分離,
在所述隔膜受到與所述可測量范圍相比較高的壓力的第二狀態(tài)下,所述隔膜與所述位移限制部接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的壓力傳感器,其中,
具有對置部,所述對置部以在其與所述隔膜之間形成壓力基準(zhǔn)室的方式與所述隔膜對置地配置,
所述位移限制部相對于所述隔膜而被配置在所述對置部側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的壓力傳感器,其中,
所述對置部兼作所述位移限制部。
4.如權(quán)利要求3所述的壓力傳感器,其中,
所述位移限制部被設(shè)置成從所述對置部向所述隔膜側(cè)突出。
5.如權(quán)利要求3或4所述的壓力傳感器,其中,
在所述第二狀態(tài)下,所述隔膜的中央部與所述位移限制部接觸。
6.如權(quán)利要求2所述的壓力傳感器,其中,
所述位移限制部位于所述隔膜與所述對置部之間。
7.如權(quán)利要求6所述的壓力傳感器,其中,
在所述第二狀態(tài)下,所述隔膜的端部與所述位移限制部接觸。
8.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的壓力傳感器,其中,
對于所述位移限制部的能夠與所述隔膜接觸的部分,實(shí)施使該部分與所述隔膜之間的接觸面積減少的接觸面積減少處理。
9.如權(quán)利要求8所述的壓力傳感器,其中,
作為所述接觸面積減少處理,在所述位移限制部的能夠與所述隔膜接觸的部分處形成有凹凸。
10.如權(quán)利要求5所述的壓力傳感器,其中,
在將所述隔膜與所述位移限制部之間的分離距離設(shè)為D,
將所述第一狀態(tài)下的所述隔膜的向所述位移限制部側(cè)的位移量設(shè)為α1,
將所述第二狀態(tài)下的所述隔膜的向所述位移限制部側(cè)的位移量設(shè)為α2時(shí),
滿足α1<D≤α2的關(guān)系。
11.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的壓力傳感器,其中,
在所述隔膜中,中央部的厚度比端部的厚度薄。
12.一種高度計(jì),其特征在于,
具有權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的壓力傳感器。
13.一種電子設(shè)備,其特征在于,
具有權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的壓力傳感器。
14.一種移動(dòng)體,其特征在于,
具有權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的壓力傳感器。
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