[發明專利]受保護的電子芯片

有效

• 申請號: 201710179661.9
• 申請日: 2017-03-23
• 公開（公告）號: CN107887337B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: C·查姆佩克斯;N·博瑞爾;A·薩拉菲亞諾斯
• 申請（專利權）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種電子芯片，包括：

第一導電類型的摻雜半導體襯底；

覆蓋所述襯底的第二導電類型的摻雜掩埋層；

覆蓋所述掩埋層的所述第一導電類型的第一摻雜阱；

電路部件，所述電路部件形成在所述第一摻雜阱的頂表面處并與所述掩埋層分隔開；以及

電流檢測器，所述電流檢測器耦合到所述掩埋層并且被配置成用于檢測流入或流出所述掩埋層的偏置電流。

2.如權利要求1所述的芯片，進一步包括形成在所述第一摻雜阱中的第二摻雜阱，其中，所述電路部件中的一些電路部件形成在所述第二摻雜阱的頂表面處。

3.如權利要求2所述的芯片，其中，所述第一摻雜阱在所述掩埋層與所述第二摻雜阱之間具有在2 μm至3 μm之間的厚度。

4.如權利要求1所述的芯片，進一步包括與所述掩埋層接觸并且包圍所述第一摻雜阱的所述第二導電類型的第一壁。

5.如權利要求4所述的芯片，進一步包括與所述襯底接觸并且包圍所述第一壁的所述第一導電類型的第二壁。

6.如權利要求4所述的芯片，其中，所述檢測器連接在被配置成用于承載電壓電勢的節點與所述第一壁之間。

7.如權利要求6所述的芯片，其中，所述檢測器包括：

電阻器，所述電阻器耦合在被配置成用于承載所述電壓電勢的所述節點與所述第一壁之間；

反相器，所述反相器具有耦合到被配置成用于承載所述電壓電勢的所述節點的輸入端；

比較器，所述比較器耦合在所述電阻器兩端，所述比較器具有耦合到所述第一壁的正輸入端以及耦合到被配置成用于承載所述電壓電勢的所述節點的負輸入端；以及

或門，所述或門具有耦合到所述反相器的輸出端的第一輸入端以及耦合到所述比較器的輸出端的第二輸入端。

8.如權利要求1所述的芯片，其中，所述掩埋層具有在2 μm至3 μm之間的厚度。

9.如權利要求1所述的芯片，其中，當所述偏置電流的絕對值大于閾值時，所述檢測器能夠生成報警信號。

10.如權利要求9所述的芯片，其中，所述閾值在2 μA至50 μA之間。

11.如權利要求4所述的芯片，其中所述電流檢測器被配置為基于所述第一壁的電壓來生成報警信號。

12.如權利要求1所述的芯片，其中所述摻雜半導體襯底耦合到接地節點，并且所述第一摻雜阱耦合到所述接地節點。

13.如權利要求1所述的芯片，其中所述電流檢測器被配置為偏置所述摻雜掩埋層。

14.如權利要求5所述的芯片，其中所述第二壁耦合到接地節點。

15.一種電子芯片，包括：

第一導電類型的摻雜半導體襯底；

覆蓋所述襯底的第二導電類型的摻雜掩埋層；

覆蓋所述掩埋層的所述第一導電類型的第一摻雜阱；

所述第二導電類型的第一壁，所述第一壁與所述掩埋層接觸并且包圍所述第一摻雜阱；

電阻器，所述電阻器耦合在參考電壓節點與所述第一壁之間；

反相器，所述反相器具有耦合到所述參考電壓節點的輸入端；

比較器，所述比較器耦合在所述電阻器兩端，所述比較器具有耦合到所述第一壁的正輸入端以及耦合到所述參考電壓節點的負輸入端；以及

或門，所述或門具有耦合到所述反相器的輸出端的第一輸入端以及耦合到所述比較器的輸出端的第二輸入端。

16.如權利要求15所述的芯片，進一步包括形成在所述第一摻雜阱中的第二摻雜阱。