[發明專利]芯片的形成方法在審
| 申請號： | 201710173741.3 | 申請日： | 2017-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN108630599A | 公開（公告）日： | 2018-10-09 |
| 發明（設計）人： | 馬岳 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/78 | 分類號： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓 芯片 溝道 第二表面 第一表面 蝕刻 厚度相等 晶片碎裂 良品率 蝕刻液 切割 保證 | ||
1.一種芯片的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一晶圓，所述晶圓具有相對的第一表面和第二表面；
由所述第一表面向所述第二表面進行切割形成若干溝道，所述溝通的深度小于所述晶圓的厚度；以及
采用蝕刻液沿所述溝道對所述晶圓進行蝕刻以使所述溝道的深度逐漸加大直至與所述晶圓的厚度相等，從而分離形成多個芯片。
2.如權利要求1所述的芯片的形成方法，其特征在于：所述晶圓由所述第一表面至所述第二表面依次形成有鈍化層、金屬層、阻擋層以及氧化層，其中由所述第一表面向所述第二表面進行切割形成若干溝道的步驟中，所述溝道的深度適于暴露所述鈍化層。
3.如權利要求2所述的芯片的形成方法，其特征在于，還包括：采用第一蝕刻液對所述鈍化層進行蝕刻直至暴露所述金屬層。
4.如權利要求3所述的芯片的形成方法，其特征在于：所述第一蝕刻液包括硫酸、硝酸鉀以及氟化氫銨。
5.如權利要求3所述的芯片的形成方法，其特征在于，還包括：采用第二蝕刻液對所述金屬層進行蝕刻直至暴露所述阻擋層。
6.如權利要求5所述的芯片的形成方法，其特征在于：所述第二蝕刻液包括氫氧化鉀。
7.如權利要求5所述的芯片的形成方法，其特征在于，還包括：采用第三蝕刻液對所述阻擋層進行蝕刻直至暴露所述氧化層。
8.如權利要求7所述的芯片的形成方法，其特征在于：所述第三蝕刻液包括氫氧化銨以及雙氧水。
9.如權利要求7所述的芯片的形成方法，其特征在于，還包括：采用第四蝕刻液對所述氧化層進行蝕刻直至所述溝道的深度等于所述晶圓的厚度。
10.如權利要求1所述的芯片的形成方法，其特征在于：采用激光束由所述第一表面向所述第二表面進行切割形成所述溝道。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
