[發明專利]一種等離子體刻蝕電紡纖維膜SERS基底的制備方法

有效

• 申請號: 201710169300.6
• 申請日: 2017-03-21
• 公開（公告）號: CN107012684B
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: 劉志承;賈露;李洋;張濤;劉亞青;白露;顏照東
• 申請（專利權）人: 中北大學
• 主分類號: D06M10/02
• 分類號: D06M10/02;D04H1/728;G01N21/65
• 代理公司: 太原科衛專利事務所(普通合伙) 14100
• 代理人: 朱源;李曉娟

1.一種等離子體刻蝕電紡纖維膜SERS基底的制備方法，其特征在于，包括將聚合物與金屬銀納米粒子的前驅體結合，通過靜電紡絲技術制備出復合納米纖維膜，然后再通過氣體等離子體刻蝕處理復合納米纖維膜，纖維膜表面的金屬銀納米粒子的前驅體被還原成金屬銀納米粒子，得到聚合物/金屬銀納米粒子復合纖維膜SERS基底；所述金屬銀納米粒子的前驅體為AgNO₃粉末。

2.根據權利要求1所述的一種等離子體刻蝕電紡纖維膜SERS基底的制備方法，其特征在于，所述制備方法中通過改變金屬銀納米粒子的前驅體的含量可以調節纖維膜SERS基底的SERS性能。

3.根據權利要求1所述的一種等離子體刻蝕電紡纖維膜SERS基底的制備方法，其特征在于，所述制備方法中通過改變氣體等離子體刻蝕時間和刻蝕功率可以調節纖維膜SERS基底的SERS性能。

4.根據權利要求1或2或3所述的一種等離子體刻蝕電紡纖維膜SERS基底的制備方法，其特征在于，所述制備方法中復合納米纖維膜是放入等離子體刻蝕機中實現刻蝕處理的；其中，刻蝕處理的工藝參數為：刻蝕過程中氣體流量為10 cc/min，壓力為100mTorr，刻蝕功率為25W～100W，刻蝕時間為1～8min。

5.根據權利要求1或2或3所述的一種等離子體刻蝕電紡纖維膜SERS基底的制備方法，其特征在于，所述聚合物為聚偏氟乙烯、聚苯乙烯或聚丙烯腈。

6.根據權利要求5所述的一種等離子體刻蝕電紡纖維膜SERS基底的制備方法，其特征在于，優選的，所述聚合物為聚丙烯腈。

7.根據權利要求6所述的一種等離子體刻蝕電紡纖維膜SERS基底的制備方法，其特征在于，所述復合納米纖維膜的制備方法為：

（1）PAN/AgNO₃溶液的配置：將AgNO₃粉末溶解在濃度為10wt%的PAN/DMF溶液中，避光攪拌24h；

（2）PAN/AgNO₃電紡纖維膜的制備：使用（1）所得到的PAN/AgNO₃溶液進行靜電紡絲，紡絲工藝參數為：電壓15kV，針頭到收集板的距離15cm，進料速率500μL/h，紡絲時間1h，得到PAN/AgNO₃復合納米纖維膜。