[發明專利]干法蝕刻機臺制程腔及其快速抽底壓漏率的方法

有效

• 申請號: 201710159759.8
• 申請日: 2017-03-17
• 公開（公告）號: CN106971963B
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 張楊
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/3065;C30B33/12
• 代理公司: 44300 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)
• 代理人: 黃威

本發明提供一種干法蝕刻機臺制程腔及其快速抽底壓漏率的方法，所述制程腔包括一腔體、一氣體箱、工作臺及抽氣裝置，所述工作臺置于所述腔體內，所述氣體箱通過一氣體管路與所述腔體連通，向所述腔體內通入氣體，所述抽氣裝置與所述腔體連通，在所述腔體內設置有多個零部件，所述抽氣裝置通過抽氣管路將所述氣體箱通過氣體管路注入腔體內的氣體抽出。本發明的優點在于，在抽氣的過程中，在腔體內通入一定流量的氣體，并維持腔體內一定壓力的方法，將零部件內的水氣置換出來，可將抽氣時間由12h縮短到8h左右，大大加快復機速度，大大提高產能。

技術領域

本發明涉及干法蝕刻領域，尤其涉及一種干法蝕刻機臺制程腔及其快速抽底壓漏率的方法。

背景技術

液晶顯示器是一種采用液晶為材料的顯示器，隨著電子產業數字技術的發展，薄膜晶體管液晶顯示器得到了快速發展，在薄膜晶體管液晶顯示器的制程中，刻蝕工藝是一個最重要的圖形轉移工藝步驟，尤其是多晶硅刻蝕，應用于需要去除硅的場合，如刻蝕多晶硅體管柵和硅槽電容等。

刻蝕是指利用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，刻蝕的基本工藝目的是在涂膠的硅片上正確的復制出掩膜圖形，刻蝕是光刻工藝之后進行的，將需要的圖形留的硅片上，刻蝕可以被稱為最終的和最主要的圖形轉移工藝步驟。

干法刻蝕通常是利用輝光放電方式，產生包含離子、電子等帶電粒子以及具有高度化學活性的中性原子、分子及自由基的電漿，來進行圖案轉印的刻蝕技術，干法刻蝕具有很好的各向異性線寬控制，干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法，廣泛應用于半導體或LCD前段制程等微電子技術中。

為了保證干法蝕刻裝置的性能，干法蝕刻機臺制程腔(DRY PC:DRY ProcessChamber) 需要進行預防性的維護保養(PM：Preventive Maintenance)。在維護保養后復機時，業界通常需要將干法蝕刻機臺制程腔抽到5*10E-5T以下的底壓，并且漏率也要求達到一定的要求，才能投入使用。目前傳統的復機方式為，只用真空泵(Pump)抽氣，到時間點測底壓漏率，如更換零件(parts)較多，開腔時間較長，往往抽真空需12h以上，降低產能。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，提供一種干法蝕刻機臺制程腔及其快速抽底壓漏率的方法，其能夠大大加快復機速度，大大提高產能。

為了解決上述問題，本發明提供了一種干法蝕刻機臺制程腔，包括一腔體、一氣體箱、工作臺及抽氣裝置，所述工作臺置于所述腔體內，所述氣體箱通過一氣體管路與所述腔體連通，向所述腔體內通入氣體，所述抽氣裝置與所述腔體連通，在所述腔體內設置有多個零部件，所述抽氣裝置通過抽氣管路將所述氣體箱通過氣體管路注入腔體內的氣體抽出。

進一步，所述氣體管路的出口位于腔體的頂端。

進一步，所述抽氣管路的進口位于腔體的底部。

進一步，所述抽氣裝置包括抽氣泵及多個分子泵，所述分子泵設置在抽氣管路出口，所述抽氣泵與多個分子泵連通。

本發明還提供一種干法蝕刻機臺制程腔快速抽底壓漏率的方法，所述方法包括如下步驟：復機時，抽氣裝置通過抽氣管路對所述腔體抽氣，同時氣體箱通過氣體管路向腔體內通入氣體，所述氣體的體積流量為3000～5000Sccm，并維持腔體內的真空度為10～30mT，抽氣若干時間；停止通入氣體，采用抽氣裝置抽氣若干時間；停止抽氣，測量底壓漏率。

進一步，所述氣體為氧氣。

進一步，所述氣體的注入時間為2～8小時。

進一步，停止通入氣體后，抽氣時間為0.5～1小時。

本發明的優點在于，在抽氣的過程中，在腔體內通入一定流量的氣體，并維持腔體內一定壓力的方法，將零部件內的水氣置換出來，可將抽氣時間由12h縮短到8h左右，大大加快復機速度，大大提高產能。