[發明專利]應用于線性穩壓器的負載瞬態響應增強電路

有效

• 申請號: 201710158975.0
• 申請日: 2017-03-16
• 公開（公告）號: CN106896857B
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發明（設計）人: 李先銳;賴彭宇;呂春偉;路建民;劉棟;趙永剛
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 陜西電子工業專利中心61205
• 代理人: 田文英,王品華

1.一種應用于線性穩壓器的負載瞬態響應增強電路，其特征在于，包括電壓跟隨器單元，可變電壓單元；其中：

所述的電壓跟隨器單元包括偏置電流器I_BIAS，第一MOS管M1，第二MOS管M2，第三MOS管M3，第四MOS管M4；

所述的可變電壓單元包括參考電流器I_REF，采樣電流電路，第五MOS管M5，第六MOS管M6，第七MOS管M7，第八MOS管M8，第九MOS管M9；

所述的電壓跟隨器單元中的偏置電流器I_BIAS的一端接電源電壓V_IN，另一端接第一MOS管M1的源極；第一MOS管M1的柵極接偏置電壓V_ref，漏極接第三MOS管M3的漏極；第二MOS管M2的源極與第一MOS管M1的源極相接，第二MOS管M2的漏極與其柵極相接后與第四MOS管M4的漏極相連；第三MOS管M3的柵極與其漏極相接后與第四MOS管M4的柵極相連，第三MOS管M3和第四MOS管M4的源極接地電平；

所述的可變電壓單元中的第五MOS管M5的源極和第六MOS管M6的源極相接后，與電源電壓V_IN相連，第五MOS管M5的柵極與漏極相接后，與第六MOS管M6的柵極相連，第五MOS管M5的漏極與外接采樣電流電路的輸出端相連；第六MOS管M6的漏極分別與第七MOS管M7的柵極和漏極相接；第七MOS管M7的源極分別與第四MOS管M4的漏極和第二MOS管M2的漏極相連；第八MOS管M8的漏極接電源電壓V_IN，柵極接第七MOS管M7的柵極，第八MOS管M8的源極與參考電流器I_REF的一端相接后與第九MOS管M9的柵極相連；參考電流器I_REF的另一端接地電平；第九MOS管M9的源極接電源電壓V_IN，漏極接第一輸出電壓V_G。

2.根據權利要求1所述的應用于線性穩壓器的負載瞬態響應增強電路，其特征在于，所述的第一MOS管M1、第二MOS管M2、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第九MOS管M9均采用P型金屬-氧化物-半導體管。

3.根據權利要求1所述的應用于線性穩壓器的負載瞬態響應增強電路，其特征在于，所述的第三MOS管M3、第四MOS管M4、第七MOS管M7、第八MOS管M8均采用N型金屬-氧化物-半導體管。

4.根據權利要求1所述的應用于線性穩壓器的負載瞬態響應增強電路，其特征在于，所述電源電壓V_IN采用直流電壓，其范圍為3V-6V。

5.根據權利要求1所述的應用于線性穩壓器的負載瞬態響應增強電路，其特征在于，所述偏置電壓V_ref采用直流電壓，其范圍為1.4V-4V。

6.根據權利要求1所述的應用于線性穩壓器的負載瞬態響應增強電路，其特征在于，所述第一MOS管M1與第二MOS管M2的寬長比相等。

7.根據權利要求1所述的應用于線性穩壓器的負載瞬態響應增強電路，其特征在于，所述第三MOS管M3與第四MOS管M4的寬長比相等。

8.根據權利要求1所述的應用于線性穩壓器的負載瞬態響應增強電路，其特征在于，所述第五MOS管M5與第六MOS管M6的寬長比之比為8：1。

9.根據權利要求1所述的應用于線性穩壓器的負載瞬態響應增強電路，其特征在于，所述第七MOS管M7與第八MOS管M8的寬長比相等。