[發明專利]用于儲能逆變器的雙向DC-AC變換電路

在審

• 申請號: 201710158577.9
• 申請日: 2017-03-17
• 公開（公告）號: CN108631639A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 黃建亮;鄭俊濤;馮高杰;蘇巖;羅霆
• 申請（專利權）人: 深圳耐斯特思新能源科技有限公司
• 主分類號: H02M7/797
• 分類號: H02M7/797;H02M3/335
• 代理公司: 天津濱海科緯知識產權代理有限公司 12211
• 代理人: 楊慧玲

1.用于儲能逆變器的雙向DC-AC變換電路，其特征在于：包括：DC直流輸入輸出模塊(101)、原邊橋式電路(102)、變壓模塊(103)、副邊橋式電路(104)、雙向升降壓模塊(105)、逆變橋式電路(106)、逆變電感續流電路(107)、LLC濾波電路(108)和AC交流輸入輸出模塊(109)，所述DC直流輸入輸出模塊(101)與所述原邊橋式電路(102)雙向連接，所述原邊橋式電路(102)與所述變壓模塊(103)雙向連接，所述變壓模塊(103)與所述副邊橋式電路(104)雙向連接，所述副邊橋式電路(104)與所述雙向升降壓模塊(105)雙向連接，所述雙向升降壓模塊(105)與所述逆變橋式電路(106)雙向連接，所述逆變橋式電路(106)與所述逆變電感續流電路(107)雙向連接，所述逆變電感續流電路(107)與所述LLC濾波電路(108)雙向連接，所述LLC濾波電路(108)與所述AC交流輸入輸出模塊(109)雙向連接。

2.根據權利要求1所述的用于儲能逆變器的雙向DC-AC變換電路，其特征在于：所述DC直流輸入輸出模塊(101)包括：電池E1，所述原邊橋式電路(102)包括：第一功率MOS管Q1、第二功率MOS管Q2、第三功率MOS管Q3和第四功率MOS管Q4，所述變壓模塊(103)包括：變壓器T1和電容C1，所述副邊橋式電路(104)包括：第五功率MOS管Q5、第六功率MOS管Q6、第七功率MOS管Q7和第八功率MOS管Q8，所述雙向升降壓模塊(105)包括：電容C2、功率電感L1、第九功率MOS管Q9、第十功率MOS管Q10和電容C3，所述逆變橋式電路(106)包括：第一IGBT管M1、第二IGBT管M2、第三IGBT管M3和第四IGBT管M4，所述逆變電感續流電路(107)包括：二極管D1、二極管D2、第五IGBT管M5和第六IGBT管M6，所述LLC濾波電路(108)包括：功率電感L2、功率電感L3和電容C4；

所述電池E1的正極分別與所述第一功率MOS管Q1的漏極和所述第二功率MOS管Q2的漏極相連，所述電池E1的負極分別與所述第三功率MOS管Q3的源極和所述第四功率MOS管Q4的源極相連，所述變壓器T1的原邊一端分別與所述第二功率MOS管Q2的源極和所述第四功率MOS管Q4的漏極相連，所述變壓器T1的原邊另一端分別與所述第一功率MOS管Q1的源極和所述第三功率MOS管Q3的漏極相連；所述變壓器T1的副邊一端與所述電容C1的一端相連，所述電容C1的另一端分別與所述第六功率MOS管Q6的源極和所述第八功率MOS管Q8的漏極相連，所述變壓器T1的副邊另一端分別與所述第五功率MOS管Q5的源極和所述第七功率MOS管Q7的漏極相連；所述電容C2的一端分別與所述第五功率MOS管Q5的漏極、所述第六功率MOS管Q6的漏極和所述功率電感L1的一端相連，所述電容C2的另一端分別與所述第七功率MOS管Q7的源極、所述第八功率MOS管Q8的源極、第九功率MOS管Q9的源極、電容C3的一端、所述第三IGBT管M3的源極和所述第四IGBT管M4的源極相連，所述功率電感L1的另一端分別與所述第九功率MOS管Q9的漏極和所述第十功率MOS管Q10的源極相連，所述第十功率MOS管Q10的漏極分別與所述電容C3的另一端、所述第一IGBT管M1的漏極和所述第二IGBT管M2的漏極相連；所述第一IGBT管M1的源極分別與所述第三IGBT管M3的漏極、所述二極管D1的陽極、所述二極管D2的陰極和所述功率電感L2的一端相連，所述第二IGBT管M2的源極分別與所述第四IGBT管M4的漏極、所述第五IGBT管M5的源極、所述第六IGBT管M6的漏極和所述功率電感L3的一端相連，所述二極管D1的陰極與所述第五IGBT管M5的漏極相連，所述二極管D2的的陽極與所述第六IGBT管M6的源極相連；所述功率電感L2的另一端分別與所述電容C4的一端和所述AC交流輸入輸出模塊(109)相連，所述功率電感L3的另一端分別與所述電容C4的另一端和所述AC交流輸入輸出模塊(109)相連；所述第一功率MOS管Q1的柵極、所述第二功率MOS管Q2的柵極、所述第三功率MOS管Q3的柵極、所述第四功率MOS管Q4的柵極、所述第五功率MOS管Q5的柵極、所述第六功率MOS管Q6的柵極、所述第七功率MOS管Q7的柵極、所述第八功率MOS管Q8的柵極、所述第九功率MOS管Q9的柵極、所述第十功率MOS管Q10的柵極、所述第一IGBT管M1的柵極、所述第二IGBT管M2的柵極、所述第三IGBT管M3的柵極、所述第四IGBT管M4的柵極、所述第五IGBT管M5的柵極和所述第六IGBT管M6的柵極，均與驅動電路相連。