[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710158461.5
• 申請日: 2011-08-16
• 公開（公告）號: CN106816383B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 野田耕生;佐佐木俊成
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/324;H01L29/786
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 金曉

1.一種用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括以下步驟：

在襯底之上形成氧化物絕緣膜，其中所述氧化物絕緣膜含有比例高于化學(xué)計量組成中的氧比例的氧；

在所述氧化物絕緣膜上形成氧化物半導(dǎo)體膜，并且所述氧化物半導(dǎo)體膜與所述氧化物絕緣膜相接觸；

通過執(zhí)行熱處理來減小所述氧化物半導(dǎo)體膜中的氫濃度和氧空位；

蝕刻所述氧化物半導(dǎo)體膜的部分以形成島形氧化物半導(dǎo)體膜；

在所述島形氧化物半導(dǎo)體膜之上形成柵極絕緣膜；以及

形成與所述島形氧化物半導(dǎo)體膜重疊的柵電極，所述柵極絕緣膜處于所述柵電極和所述島形氧化物半導(dǎo)體膜之間，

其中通過所述熱處理從所述氧化物絕緣膜中解除吸附的氧的量高于或等于1.0×10²⁰原子/cm³。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，還包括在所述氧化物半導(dǎo)體膜上形成具有n型導(dǎo)電性的緩沖層的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中在所述氧化物絕緣膜中，在所述島形氧化物半導(dǎo)體膜下方的整個區(qū)域與所述襯底直接接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述熱處理在高于或等于150℃且低于所述襯底的應(yīng)變點的溫度處執(zhí)行。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述柵極絕緣膜包括氧化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述半導(dǎo)體裝置被結(jié)合到計算機的監(jiān)視器、數(shù)碼相框、電子書閱讀器、移動電話、數(shù)碼相機和電視機中的一個中。

7.一種用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括以下步驟：

在襯底上形成氧化物絕緣膜，其中所述氧化物絕緣膜含有比例高于化學(xué)計量組成中的氧比例的氧；

在所述氧化物絕緣膜上形成氧化物半導(dǎo)體膜，并且所述氧化物半導(dǎo)體膜與所述氧化物絕緣膜相接觸；

通過執(zhí)行熱處理來減小所述氧化物半導(dǎo)體膜中的氫濃度，并使所述氧化物絕緣膜中含有的氧擴散到所述氧化物半導(dǎo)體膜中；

通過蝕刻所述氧化物半導(dǎo)體膜來形成島形氧化物半導(dǎo)體膜；

在所述島形氧化物半導(dǎo)體膜之上形成柵極絕緣膜；以及

形成與所述島形氧化物半導(dǎo)體膜重疊的柵電極，所述柵極絕緣膜處于所述柵電極和所述島形氧化物半導(dǎo)體膜之間，

其中通過所述熱處理從所述氧化物絕緣膜中解除吸附的氧的量高于或等于1.0×10²⁰原子/cm³。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，還包括在所述氧化物半導(dǎo)體膜上形成具有n型導(dǎo)電性的緩沖層的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中在所述氧化物絕緣膜中，在所述島形氧化物半導(dǎo)體膜下方的整個區(qū)域與所述襯底直接接觸。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述熱處理在高于或等于150℃且低于所述襯底的應(yīng)變點的溫度處執(zhí)行。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述柵極絕緣膜包括氧化硅。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述半導(dǎo)體裝置被結(jié)合到計算機的監(jiān)視器、數(shù)碼相框、電子書閱讀器、移動電話、數(shù)碼相機和電視機中的一個中。