[發明專利]一種大面積的納米透鏡型陣列及其制備方法

有效

• 申請號: 201710156283.2
• 申請日: 2017-03-16
• 公開（公告）號: CN108627894B
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發明（設計）人: 任斌;劉博文;劉守;王磊
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: G02B3/00
• 分類號: G02B3/00;B82Y40/00;B82Y20/00;G03F7/20
• 代理公司: 35204 廈門市首創君合專利事務所有限公司
• 代理人: 張松亭;陳淑嫻

1.一種大面積的納米透鏡型陣列的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)提供襯底，并對襯底進行清潔、活化；

(2)在襯底上旋涂負性光刻膠形成光刻膠層；所述的光刻膠為SU-8；

(3)采用可調紫外全息光刻技術對光刻膠層進行圖案化曝光，所述可調紫外全息光刻技術的激光波長為深紫外的266nm，采用全息光學元件；

(4)經過顯影和定影，再使用氮氣吹掃去除表面水分，得到光刻膠納米透鏡型陣列，所述光刻膠納米透鏡型陣列的周期為130nm-1μm；

(5)以所得光刻膠納米透鏡型陣列為模板，采用各向異性金屬沉積的方法對光刻膠模板進行金屬化，得到金屬納米透鏡型陣列。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟(2)中，所述光刻膠層的厚度為0.2-1μm。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟(3)中，通過調節曝光劑量來控制所述納米透鏡頂部到底部的高度，所述高度范圍為10-100nm。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟(5)中，所述沉積的金屬層厚度為70-150nm。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述金屬沉積的金屬材料是金、銀、銅、鋁中的一種。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述襯底包括單晶硅襯底，玻璃襯底，生長有多晶硅層、氧化硅層或氮化硅層的單晶硅襯底、玻璃襯底、金屬襯底，生長有金屬層的單晶硅襯底、玻璃襯底，聚二甲基硅氧烷襯底，聚苯乙烯襯底，以及生長有金屬層的聚二甲基硅氧烷襯底、聚苯乙烯襯底。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述納米透鏡型陣列的排列方式是六角排列或正交排列。

8.一種由權利要求1-7任一項所述方法制備的大面積的納米透鏡型陣列，其特征在于：所述納米透鏡型陣列包括襯底、位于所述襯底之上的光刻膠層以及位于所述光刻膠層之上的金屬層，所述光刻膠層的表面形成陣列式規則排列的透鏡狀起伏，所述金屬層相應形成周期為130nm-1μm、高度為10-100nm的金屬納米透鏡型陣列。