[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201710154619.1 | 申請日: | 2017-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN107221602B | 公開(公告)日: | 2019-09-24 |
| 發明(設計)人: | 阪本樹;秋元肇 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 邸萬杰;楊藝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
本發明的顯示裝置兼有高發光效率和低外部光反射率。該顯示裝置包括:形成在第一基板上的著色層;形成在著色層上的具有第一折射率的透明絕緣層;形成在透明絕緣層上的具有比第一折射率大的第二折射率的第一透明電極;形成在第一透明電極上的具有發光層的有機層;和形成在有機層上的第二透明電極。來自外部的光被著色層吸收,來自有機層的發光中與第一基板的法線所成的角為規定以上的光,被透明絕緣層和第一透明電極反射而被取出到外部。
技術領域
本發明涉及顯示裝置,尤其涉及使用有機EL(有機電致發光)元件的顯示裝置。
背景技術
在使用有機EL元件的顯示裝置中,需要兼顧高發光效率和低外部光反射率。原理上為了使外部光反射大致為0,在出射側設置圓偏光板即可,但是,光取出效率不到一半,無法獲得高發光效率。這是因為來自有機EL元件的發光的一半以上也被圓偏光板吸收。
日本特開2003-17264號公報(專利文獻1)中公開了一種顯示裝置,該顯示裝置通過將多個線狀的第一電極、該第一電極上方的包括發光層的有機物層和該有機物層上方的與第一電極交叉的多個線狀的第二電極層疊,而具有多個發光部。這是通過配置密合地存在于多個第一電極的下方的光吸收層來在抑制外部光反射的同時防止亮度的降低的發明。
特開2004-271963號公報(專利文獻2)中公開了一種發明,即在具有發光元件的顯示裝置中,以與發光元件接觸的方式設置太陽能電池、非晶硅基板、單晶硅基板、粗面化硅基板、黑色絕緣片等的光吸收層,來抑制外部光反射。
日本特開2003-223993號公報(專利文獻3)中公開了在有機EL元件的下方設置防反射層來防止外部光反射的顯示裝置。也公開了在有機EL元件與防反射層之間配置電路層、元件基板的例子。
日本特開2005-222724號公報(專利文獻4)中公開了一種發明,即具備在一對電極間具有電光學層的發光元件的顯示裝置中,一個電極形成于光吸收層的表面,該光吸收層與一個電極的形狀對應地圖形化。
發明內容
發明要解決的技術問題
在專利文獻1~4中公開的顯示裝置中,由發光元件的電極引起的外部光反射被光吸收層或者防反射層吸收,因此能夠相當大地防止該外部光反射。但是,在有機EL元件和量子點發光元件的內部發光的光的一半被光吸收層或者防反射層吸收,因此存在發光效率變低的問題。在專利文獻3中,也有在有機EL元件與防反射層之間設置有電路層和基板的例子,但是,在電路層具有各種配線、電容電極、TFT(Thin film transistor,薄膜晶體管)等,在外部光照射到它們的情況下被反射,由此導致對比度的降低。另外,在外部光照射到TFT的情況下成為TFT的誤動作的原因。僅將基板設置在有機EL元件與防反射層之間的情況下,無法有效利用設置有機EL元件的區域,顯示裝置的高精細化存在問題。并且,基板與有機EL元件的下部電極之間的界面被粗糙化,擔心由該界面引起的反射對顯示造成不良影響。這是因為,基板由玻璃、聚酰亞胺等形成,其表面的粗糙度、雜質等的表面狀態與電路層以上的層相比沒有嚴格受到管理。
解決技術問題的技術方案
本發明的一個實施方式所涉及的顯示裝置包括:第一基板;形成在第一基板上的著色層;形成在著色層上的具有第一折射率的透明絕緣層;形成在透明絕緣層上的具有比第一折射率大的第二折射率的第一透明電極;形成在第一透明電極上的具有發光層的有機層;和形成在有機層上的第二透明電極。
本發明的一個實施方式所涉及的顯示裝置包括:第一基板;形成在第一基板上的著色層;形成在著色層上的防反射層,該防反射層由具有第一折射率的多個第一絕緣層和具有比第一折射率大的第二折射率的多個第二絕緣層彼此交替層疊而構成;形成在防反射層上的第一透明電極;形成在第一透明電極上的具有發光層的有機層;和形成在有機層上的第二透明電極。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





