[發(fā)明專利]一種用于碳化硅MOSFET的驅(qū)動電路

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710153310.0
• 申請日: 2017-03-15
• 公開（公告）號: CN106803715A
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃波;李志雨;田遠;董兆雯;蔡阿利;顏繁龍;李波;高鑫;許洪東;其他發(fā)明人請求不公開姓名
• 申請（專利權(quán)）人: 泰科天潤半導體科技(北京)有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;H02M1/44;H03K17/16;H03K17/689
• 代理公司: 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所(普通合伙)35212
• 代理人: 宋連梅

1.一種用于碳化硅MOSFET的驅(qū)動電路，其特征在于：包括隔離模塊、驅(qū)動模塊以及電阻模塊，所述隔離模塊、驅(qū)動模塊以及電阻模塊依次連接，所述驅(qū)動模塊的正驅(qū)動電壓為18V至22V，所述驅(qū)動模塊的負驅(qū)動電壓為-2.5V至-4.5V。

2.如權(quán)利要求1所述的一種用于碳化硅MOSFET的驅(qū)動電路，其特征在于：所述電阻模塊的開通電阻為2歐姆至8歐姆。

3.如權(quán)利要求2所述的一種用于碳化硅MOSFET的驅(qū)動電路，其特征在于：所述電阻模塊的關(guān)斷電阻小于或等于開通電阻。

4.如權(quán)利要求1所述的一種用于碳化硅MOSFET的驅(qū)動電路，其特征在于：所述隔離模塊的CMTI大于或等于25kV/us。