[發(fā)明專利]導(dǎo)電性膜及導(dǎo)電性膜卷

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710150655.0
• 申請(qǐng)日: 2013-01-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106653161A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藤野望;鷹尾寬行;石橋邦昭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日東電工株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01B5/14
• 分類號(hào): H01B5/14;G06F3/044;H01B13/00
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,李茂家

1.一種導(dǎo)電性膜，其特征在于，所述導(dǎo)電性膜具備：

膜基材，

形成在所述膜基材的一側(cè)的第1透明導(dǎo)電體層，

形成在所述第1透明導(dǎo)電體層的與所述膜基材相反側(cè)的第1銅層，

形成在所述膜基材的另一側(cè)的第2透明導(dǎo)電體層，

形成在所述第2透明導(dǎo)電體層的與所述膜基材相反側(cè)的第2銅層，

通過(guò)濺射形成在所述第1銅層的與所述第1透明導(dǎo)電體層相反側(cè)、含有氧化亞銅的厚度為1nm～15nm的第1氧化被膜層。

2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性膜，其特征在于，所述第1氧化被膜層的厚度為1.0nm～8.0nm。

3.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性膜，其特征在于，所述第1氧化被膜層由含有50重量％以上的氧化亞銅、并且含有銅、氧化銅、碳酸銅以及氫氧化銅的組合物構(gòu)成。

4.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性膜，其特征在于，所述第1氧化被膜層實(shí)質(zhì)上僅由氧化亞銅構(gòu)成。

5.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性膜，其特征在于，所述導(dǎo)電性膜還具有形成于所述第2銅層、含有氧化亞銅的厚度為1nm～15nm的第2氧化被膜層。

6.一種導(dǎo)電性膜卷，其特征在于，所述導(dǎo)電性膜卷是將權(quán)利要求1～5中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性膜卷成卷狀而構(gòu)成的。