[發明專利]一種供電電路及電路供電系統

有效

• 申請號: 201710144675.7
• 申請日: 2017-03-13
• 公開（公告）號: CN107085450B
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 王釗
• 申請（專利權）人: 南京中感微電子有限公司
• 主分類號: G05F5/00
• 分類號: G05F5/00
• 代理公司: 北京新知遠方知識產權代理事務所(普通合伙) 11397
• 代理人: 艾鳳英

1.一種供電電路，其特征在于，該電路包括：

分別設置于被供電電路的多個子區域內的多個參考電壓產生電路，用于產生與被供電電路的多個子區域對應的多個參考電壓信號；

驅動電路，基于多個參考電壓信號中最大的電壓信號，輸出用于為被供電電路供電的電壓；

每個參考電壓產生電路感應其對應的被供電電路的子區域；

所述感應為在被供電電路的子區域內設置與被供電電路的特性參數相匹配的電器元件；所述特性參數包括溫度和/或閾值電壓。

2.根據權利要求1所述的供電電路，其特征在于，設置在被供電電路多個子區域內的參考電壓產生電路的結構完全相同。

3.根據權利要求1所述的供電電路，其特征在于，所述驅動電路獨立于參考電壓產生電路，并設置在被供電電路外部。

4.根據權利要求1至3任意一項所述的供電電路，其特征在于，所述參考電壓產生電路包括：電流源、第一PMOS管和第一NMOS管；

所述電流源的一端與電源連接，其另一端與第一PMOS管的源極連接；

所述第一PMOS管的柵極與其漏極連接；

所述第一NMOS管的漏極與第一PMOS管的漏極連接，所述第一NMOS管的柵極與其漏極連接，所述第一NMOS管的源極接地；

所述電流源與第一PMOS管的連接點作為所述參考電壓產生電路的參考電壓信號輸出端；或，

所述參考電壓產生電路包括：電阻、第二PMOS管和第二NMOS管；

所述電阻的一端與電源連接，其另一端與第二PMOS管的源極連接；

所述第二PMOS管的柵極與其漏極連接；

所述第二NMOS管的漏極與第二PMOS管的漏極連接，所述第二NMOS管的柵極與其漏極連接，所述第二NMOS管的源極接地；

所述電阻與第二PMOS管的連接點作為所述參考電壓產生電路的參考電壓信號輸出端；或，

所述參考電壓產生電路包括：電流源和第三NMOS管；

所述電流源的一端與電源連接，其另一端與第三NMOS管的漏極連接；

所述第三NMOS管的柵極與其漏極連接，所述第三NMOS管的源極接地；或，

所述參考電壓產生電路包括：電流源和第三PMOS管；

所述電流源的一端與電源連接，其另一端與第三PMOS管的源極連接；

所述第三PMOS管的柵極與其漏極連接，所述第三PMOS管的漏極接地。

5.根據權利要求1所述的供電電路，其特征在于，所述驅動電路包括：

選擇模塊，在至少一個參考電壓信號中選擇最大的電壓信號輸出；

控制模塊，對選擇模塊輸出的電壓進行負反饋控制，輸出優化后的供電電壓。

6.根據權利要求5所述的供電電路，其特征在于，

所述選擇模塊采用最大值選擇器；

所述控制模塊采用運算放大器；所述運算放大器的第一輸入端與選擇模塊連接，所述運算放大器的輸出端與其第二輸入端連接；

所述運算放大器的輸出端作為驅動電路的供電電壓輸出端。

7.根據權利要求6所述的供電電路，其特征在于，所述驅動電路進一步包括：連接在運算放大器輸出端和運算放大器第二輸入端之間的功率級。