[發明專利]基板處理裝置、基板處理裝置的控制方法和基板處理系統有效
| 申請號: | 201710142910.7 | 申請日: | 2017-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN107275254B | 公開(公告)日: | 2021-11-19 |
| 發明(設計)人: | 天野嘉文;守田聰;池邊亮二;宮本勲武 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 控制 方法 系統 | ||
1.一種基板處理裝置的控制方法,該基板處理裝置具備:旋轉保持部,其保持基板并使該基板旋轉;處理液供給部,其供給用于去除基板的周緣部的膜的處理液;以及拍攝部,其拍攝所述基板的周緣部,該基板處理裝置的控制方法的特征在于,具備以下工序:
獲取工序,獲取與所述基板的膜的種類有關的信息;
選擇工序,從預先存儲于存儲部的測定用設定的表中選擇與所獲取到的所述膜的種類對應的測定用設定;以及
控制工序,進行控制使得所述拍攝部使用在所述選擇工序中選擇出的測定用設定來拍攝所述基板的周緣部,
其中,在所述獲取工序中,還獲取所述基板的周緣部的膜的去除寬度的設定信息,
在所述選擇工序中,選擇與所述膜的種類及所述去除寬度的設定信息對應的測定用設定。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置的控制方法,其特征在于,
在所述存儲部中存儲有與明度有關的多個拍攝條件來作為所述測定用設定,
在所述選擇工序中,選擇適于所獲取到的所述膜的種類的拍攝條件。
3.根據權利要求2所述的基板處理裝置的控制方法,其特征在于,
在所述選擇工序中,選擇適于所獲取到的所述膜的種類的、明度不同的多個拍攝條件,
在所述控制工序中,使所述拍攝部使用所述明度不同的多個拍攝條件來對基板進行多次拍攝。
4.根據權利要求1~3中的任一項所述的基板處理裝置的控制方法,其特征在于,
在所述獲取工序中,從使用所述基板處理裝置的基板處理制程的記載來獲取所述基板上的膜的種類的信息。
5.一種基板處理裝置,進行去除基板的周緣部的膜的處理,該基板處理裝置的特征在于,具備:
旋轉保持部,其從所述基板的下表面吸附保持該基板并使該基板旋轉;
處理液供給部,其在通過所述旋轉保持部而基板正在旋轉時,向所述基板的周緣部供給用于去除所述膜的處理液;
拍攝部,其拍攝所述基板的周緣部;以及
存儲部,其存儲測定用設定的表,
其中,所述拍攝部能夠選擇性地設定不同的多個拍攝條件,使用根據所述基板的膜的種類和所述基板的周緣部的膜的去除寬度的設定信息而從所述測定用設定的表中選擇出的拍攝條件來拍攝所述基板的周緣部。
6.一種基板處理系統,包括進行去除基板的周緣部的膜的處理的基板處理裝置、進行基于拍攝圖像的測定處理的測定處理裝置以及對與測定處理有關的信息進行管理的信息處理裝置,該基板處理系統的特征在于,
所述基板處理裝置具備:
旋轉保持部,其從所述基板的下表面吸附保持該基板并使該基板旋轉;
處理液供給部,其在通過所述旋轉保持部而基板正在旋轉時,向所述基板的周緣部供給用于去除所述膜的處理液;
拍攝部,其拍攝所述基板的周緣部;以及
存儲部,其存儲測定用設定的表,
所述信息處理裝置具備控制部,該控制部獲取與所述基板的膜的種類和所述基板的周緣部的膜的去除寬度的設定信息有關的信息,從所述測定用設定的表中選擇與所獲取到的所述膜的種類和所述基板的周緣部的膜的去除寬度的設定信息對應的測定用設定,
所述測定處理裝置具備控制部,該控制部進行控制使得所述拍攝部使用在信息處理裝置中選擇出的測定用設定來拍攝所述基板的周緣部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





