[發(fā)明專利]用以執(zhí)行等離子相關(guān)制造制程的系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710137506.0
• 申請(qǐng)日: 2017-03-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108231517A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖漢文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

一種用以執(zhí)行等離子相關(guān)制造制程的系統(tǒng)，包含處理腔室及位于處理腔室內(nèi)的晶圓臺(tái)。晶圓臺(tái)用以固定處理晶圓。系統(tǒng)還包含位于晶圓臺(tái)下面的底部電極、位于腔室外部的頂部電極及等離子分布機(jī)構(gòu)。等離子分布機(jī)構(gòu)可重新配置以允許多于一個(gè)等離子分布輪廓。

技術(shù)領(lǐng)域

本揭露實(shí)施例是有關(guān)于一種系統(tǒng)，且特別是有關(guān)于一種用以執(zhí)行等離子相關(guān)制造制程的系統(tǒng)。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體集成電路(semiconductor integrated circuit；IC)工業(yè)中，IC材料及設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步已生產(chǎn)了數(shù)代IC，其中每一代皆比上一代具有更小且更加復(fù)雜的電路。在IC發(fā)展過(guò)程中，功能密度(即，單位晶片面積中的互連裝置數(shù)目)大體上增加，而幾何形狀尺寸(即，可使用制造制程產(chǎn)生的最小組件(或接線))減小。此按比例縮小制程大體上通過(guò)提高生產(chǎn)效率及降低相關(guān)成本提供益處。此種按比例縮小亦增大了IC制程及制造的復(fù)雜性。

半導(dǎo)體裝置制造包括許多不同制程。許多制程為等離子相關(guān)制程。此種等離子相關(guān)制程包括等離子蝕刻、等離子灰化、化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition；CVD)及物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition；PVD)。此種制程通常包括等離子氣體的使用，其用以傳送待沉積在基板上的材料或用以與將從基板上移除的材料反應(yīng)。使用電磁場(chǎng)將等離子氣體引向基板。

一些等離子相關(guān)制造制程可能在晶圓上產(chǎn)生非期望的結(jié)果。舉例而言，由于各種因素，等離子蝕刻制程可能在晶圓的中心比在晶圓的邊緣蝕刻更多材料，導(dǎo)致輕微凹陷效應(yīng)(dishing effect)。另外，一些等離子沉積制程可能導(dǎo)致額外材料沉積于晶圓的中心，導(dǎo)致鼓出效應(yīng)(bulging effect)。需要產(chǎn)生解決此種現(xiàn)象的制造制程。

發(fā)明內(nèi)容

一種用以執(zhí)行等離子相關(guān)制造制程的系統(tǒng)，包括：腔室、位于腔室內(nèi)的晶圓臺(tái)、位于晶圓臺(tái)下方的底部電極、位于腔室外部的頂部電極與等離子分布機(jī)構(gòu)。晶圓臺(tái)用以固定處理晶圓。等離子分布機(jī)構(gòu)可重新配置以允許多于一個(gè)等離子分布輪廓。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時(shí)，自以下詳細(xì)描述很好地理解本揭示案的態(tài)樣。應(yīng)注意，根據(jù)工業(yè)中標(biāo)準(zhǔn)實(shí)務(wù)，各特征未按比例繪制。事實(shí)上，為論述清楚，各特征的尺寸可任意地增加或縮小。

圖1為圖示根據(jù)本文所述原理的一個(gè)實(shí)例的具有可重新配置的等離子分布機(jī)構(gòu)的說(shuō)明性等離子相關(guān)制造工具的圖。

圖2A、圖2B及圖2C為圖示根據(jù)本文所述原理的一個(gè)實(shí)例的可重新配置的等離子分布機(jī)構(gòu)可如何使用的圖；

圖3A及圖3B為圖示根據(jù)本文所述原理的一個(gè)實(shí)例的包含具有不同厚度的各種板及可插入至槽中的材料的等離子分布機(jī)構(gòu)的圖；

圖4A及圖4B為圖示根據(jù)本文所述原理的一個(gè)實(shí)例的包括可在尺寸、厚度及材料中變化的多個(gè)可調(diào)整的扇葉的說(shuō)明性等離子分布機(jī)構(gòu)的圖；

圖5A及圖5B為圖示根據(jù)本文所述原理的一個(gè)實(shí)例的包括可在材料及厚度中變化的多個(gè)同心環(huán)組的說(shuō)明性等離子分布機(jī)構(gòu)的圖；

圖6A、圖6B、圖6C及圖6D為圖示根據(jù)本文所述原理的一個(gè)實(shí)例的包括彼此垂直的兩組細(xì)長(zhǎng)閘門(mén)的說(shuō)明性等離子分布機(jī)構(gòu)的圖；

圖7為圖示根據(jù)本文所述原理的一個(gè)實(shí)例的用于在制造制程期間使用等離子分布機(jī)構(gòu)的說(shuō)明性方法的圖。

具體實(shí)施方式