[發明專利]CsSnBr3半導體的晶體生長與表面保護方法在審
| 申請號： | 201710137123.3 | 申請日： | 2017-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN107059122A | 公開（公告）日： | 2017-08-18 |
| 發明（設計）人： | 米啟兮;李炳翰;夏宇 | 申請（專利權）人： | 上海科技大學 |
| 主分類號： | C30B29/12 | 分類號： | C30B29/12;C30B7/08;H01L31/0216;H01L31/032 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司31001 | 代理人： | 翁若瑩,柏子雵 |
| 地址： | 200120 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cssnbr3 半導體 晶體生長 表面 保護 方法 | ||
1.一種CsSnBr3半導體的晶體生長方法，其特征在于：將含有Cs+、Sn2+和Br-的起始原料在乙二醇中加熱溶解，得到無色透明澄清溶液，緩慢降溫后得到黑色光亮的方塊狀CsSnBr3半導體的晶體。
2.如權利要求1所述一種CsSnBr3半導體的晶體生長方法，其特征在于，所述的起始原料是由等摩爾CsBr和純化SnBr2反應制得的CsSnBr3粉末。
3.如權利要求1所述一種CsSnBr3半導體的晶體生長方法，其特征在于，所使用乙二醇溶劑含水量小于50ppm。
4.如權利要求1所述一種CsSnBr3半導體的晶體生長方法，其特征在于，所述的起始原料與乙二醇溶劑的用量比例為0.30-0.35g/ml。
5.如權利要求1所述一種CsSnBr3半導體的晶體生長方法，其特征在于，所述緩慢降溫后得到黑色光亮的方塊狀CsSnBr3半導體的晶體的過程為晶體生長過程，晶體生長過程在氮氣保護下進行。
6.如權利要求5所述一種CsSnBr3半導體的晶體生長方法，其特征在于，晶體生長過程的起始溫度為110-135℃，終止溫度為70-90℃。
7.如權利要求5所述一種CsSnBr3半導體的晶體生長方法，其特征在于，晶體生長過程的降溫速率為0.2-0.5℃/小時。
8.一種由權利要求1所述方法制備的CsSnBr3半導體的晶體的表面保護方法，其特征在于：將CsSnBr3半導體的晶體表面與含有氟化物的溶液接觸，或者將烴基銨鹽加入生長CsSnBr3半導體的晶體的母液中。
9.如權利要求8所述的CsSnBr3半導體的晶體的表面保護方法，其特征在于，所使用的氟化物為CsF、KF。
10.如權利要求8所述的CsSnBr3半導體的晶體的表面保護方法，其特征在于，所使用的烴基銨鹽為含有4-16個碳原子的溴化烴基銨；優選地，所使用的烴基銨鹽為含有0-1個苯環的溴化烴基銨。
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