[發明專利]單刀單擲射頻開關及其構成的單刀多擲射頻開關在審
| 申請號: | 201710134781.7 | 申請日: | 2017-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN108574479A | 公開(公告)日: | 2018-09-25 |
| 發明(設計)人: | 趙奐;何山暐 | 申請(專利權)人: | 康希通信科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/687 | 分類號: | H03K17/687 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區中國(上海)自*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單刀 射頻開關 電容 電感 開關器件 天線端 阻抗變換功能 半導體芯片 電路元件 電容串聯 電容接地 高隔離度 一端連接 靈活的 射頻端 并聯 導通 射頻 斷開 | ||
1.一種單刀單擲射頻開關,其特征在于,包括:電感(L1)、第一~第三電容(C1~C3)和開關器件(S1);
電感(L1)連接在射頻端(RF)和天線端(ANT)之間,第一電容(C1)和第二電容(C2)串聯在射頻端(RF)和天線端(ANT)之間并與電感(L1)形成并聯;開關器件(S1)一端連接在第一電容(C1)和第二電容(C2)之間,另一端通過第三電容(C3)接地。
2.如權利要求1所述的單刀單擲射頻開關,其特征在于:開關器件(S1)為PMOS、NMOS、HEMT或LDMOS。
3.如權利要求1所述的單刀單擲射頻開關,其特征在于:開關器件(S1)斷開時,該單刀單擲射頻開關工作狀態為斷開;開關器件(S1)導通時,該單刀單擲射頻開關工作狀態為導通。
4.如權利要求1所述的單刀單擲射頻開關,其特征在于:第一電容(C1)和第二電容(C2)的電容值相同。
5.如權利要求4所述的單刀單擲射頻開關,其特征在于:第一電容(C1)和第二電容(C2)的電容值為C,該單刀單擲射頻開關工作頻率為f,電感(L1)的電感值為L,該單刀單擲射頻開關斷開時,L和C在該單刀單擲射頻開關工作頻率上并聯諧振,即f=1/[2π·(L·C/2)0.5]。
6.如權利要求4所述的單刀單擲射頻開關,其特征在于:第三電容(C3)的電容值遠遠大于C,即C3>>C。
7.如權利要求6所述的單刀單擲射頻開關,其特征在于:該單刀單擲射頻開關導通時,電感(L1)、第一電容(C1)和第二電容(C2)構成一個π型網絡,所述π型網絡連接了射頻端RF和天線端ANT并具有阻抗變換的作用。
8.一種具有權利要求1~7任意一項所述單刀單擲射頻開關的單刀多擲射頻開關,其特征在于,包括:
結構相同的N條臂,每一臂的第一端為射頻端(RF),每一臂的第二端連接在一起后連接天線端(ANT),N≥2;
每一條臂由權利要求1~7任意一項所述單刀單擲射頻開關構成。
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