[發明專利]顯示裝置與磊晶晶圓

有效

• 申請號: 201710134081.8
• 申請日: 2017-03-08
• 公開（公告）號: CN108573960B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 賴育弘
• 申請（專利權）人: 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;G09F9/33
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 姚垚;曹正建

1.一種顯示裝置，其特征在于，包括：

一顯示基板；

一第一子像素單元，設置于該顯示基板，具有一第一發光面積；以及

一第二子像素單元，設置于該顯示基板，具有一第二發光面積；

其中該第一子像素單元與該第二子像素單元為同一顏色類型，該第一子像素單元與該第二子像素單元從一磊晶晶圓形成后轉移至該顯示基板，該第一發光面積與該第二發光面積的大小至少關聯于該磊晶晶圓的一光致發光量測結果，

其中該光致發光量測結果具有一量測中心波長分布，該磊晶晶圓定義有多個量測位置，該第一子像素單元于該磊晶晶圓形成前對應于多個所述量測位置的其中之一，該第二子像素單元于該磊晶晶圓形成前對應于多個所述量測位置的其中之另一，該量測中心波長分布用來指示分別關聯于多個所述量測位置的多個量測中心波長，該第一子像素單元的該第一發光面積關聯于該第一子像素單元對應的量測位置的量測中心波長，該第二子像素單元的該第二發光面積關聯于該第二子像素單元對應的量測位置的量測中心波長，

其中當該第一子像素單元對應的量測中心波長與該第二子像素單元對應的量測中心波長大于一標準中心波長范圍的一上限時，該第一子像素單元的該第一發光面積與該第二子像素單元的該第二發光面積被定義為小于一標準面積，當該第一子像素單元對應的量測中心波長與該第二子像素單元對應的量測中心波長小于該標準中心波長范圍的一下限時，該第一子像素單元的該第一發光面積與該第二子像素單元的該第二發光面積被定義為大于該標準面積，

其中該第一子像素單元受控于一驅動電流而產生一第一激發光，該第二子像素單元受控于該驅動電流而產生一第二激發光，該第一激發光的中心波長與該第二激發光的中心波長落于標準中心波長范圍中。

2.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該第一激發光的中心波長與該第二激發光的中心波長的差值小于一第一預設閥值，該第一預設閥值不大于2納米。

3.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該第一子像素單元與該第二子像素單元的電流密度介于0.001安培/平方厘米至5安培/平方厘米之間。

4.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置更包含多個像素單元，該第一子像素單元與該第二子像素單元分別設置于不同的像素單元。

5.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置更包含多個像素單元，每一個所述像素單元包含至少三種不同顏色類型的子像素單元，于同一方向上，任兩相鄰的多個所述像素單元中的同一顏色類型的該子像素單元距離相同。

6.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該第一子像素單元與該第二子像素單元于該磊晶晶圓形成前的相對位置相等于該第一子像素單元與該第二子像素單元于該顯示基板的相對位置。

7.一種磊晶晶圓，其特征在于，包括：

一磊晶基板；以及

一磊晶結構，設置于該磊晶基板，定義為一顏色類型，該磊晶結構包括：

一第一子磊晶結構，具有一第一發光面積；以及

一第二子磊晶結構，具有一第二發光面積；

其中該第一發光面積與該第二發光面積的大小關聯于該磊晶結構的一光致發光量測結果，

其中該光致發光量測結果具有一量測中心波長分布，該磊晶晶圓的該磊晶結構定義有多個量測位置，該第一子磊晶結構對應于多個所述量測位置的其中之一，該第二子磊晶結構對應于多個所述量測位置的其中之另一，該量測中心波長分布用來指示關聯于多個所述量測位置的多個量測中心波長，該第一子磊晶結構的該第一發光面積關聯于該第一子磊晶結構對應的該量測位置的該量測中心波長，該第二子磊晶結構的該第二發光面積關聯于該第二子磊晶結構對應的該量測位置的該量測中心波長，

其中當該第一子磊晶結構對應的量測中心波長與該第二子磊晶結構對應的量測中心波長大于一標準中心波長范圍的一上限時，該第一子磊晶結構的該第一發光面積與該第二子磊晶結構的該第二發光面積被定義為小于一標準面積，當該第一子磊晶結構對應的量測中心波長與該第二子磊晶結構對應的量測中心波長小于該標準中心波長范圍的一下限時，該第一子磊晶結構的該第一發光面積與該第二子磊晶結構的該第二發光面積被定義為大于該標準面積。