[發(fā)明專利]一種雙I型耐大電流聚光光伏電池芯片

在審

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• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN106847948A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王永向
• 申請（專利權(quán)）人: 成都聚合科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光伏發(fā)電部件，具體涉及一種雙I型耐大電流聚光光伏電池芯片，屬太陽能光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

通常，聚光光伏發(fā)電系統(tǒng)所尋求的主要益處是在聚光光伏電池芯片的有效面積上得到從菲涅爾透鏡匯聚的高密度太陽光。透鏡的倍數(shù)越高，得到太陽光的密度越高，相同面積上使用的聚光光伏電池芯片越少，單位面積上的發(fā)電成本就越低。

目前通常從菲涅爾透鏡匯聚過來的焦斑都為正方形，該焦斑的形狀和大小也通常和聚光光伏電池芯片的形狀和大小一致，從而使菲涅爾透鏡匯聚過來的焦斑可以完全匯聚到聚光光伏電池芯片上。但是在實際應(yīng)用中，聚光光伏電池芯片上的負(fù)電極層總是小于聚光光伏電池基材層，由于聚光光伏電池基材層上的基材材料相對很貴（一個平方厘米大小的基材材料大約在50元人民幣左右），這樣就極大浪費了聚光光伏電池基材層的基材材料,同時隨著透鏡倍數(shù)的增加，匯聚到聚光光伏電池芯片上的太陽光就越多，經(jīng)過聚光光伏電池芯片轉(zhuǎn)換出來的電能就越多，電能的增加直接導(dǎo)致電流的增加，這樣就很容易將聚光光伏電池芯片的負(fù)極損壞。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種雙I型耐大電流聚光光伏電池芯片，該電池芯片在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。

為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是：一種雙I型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，它包括負(fù)電極層，聚光光伏電池基材層，正電極層和有效面積，所述聚光光伏電池基材層一面覆上負(fù)電極層，另一面覆上正電極層，所述負(fù)電極層之外的部分為有效面積。

所述負(fù)電極層為平整I字形形狀，負(fù)電極段的寬度為0.5~1.5毫米，厚度為0.5~1毫米，負(fù)電極層和聚光光伏電池基材層其中兩個相對端面完全重合。

所述聚光光伏電池基材層為GaInP（磷化銦嫁）/GaAs（砷化鎵）/Ge（鍺）三層組合體。

所述正電極層為一完全密封的平面，正電極層面積形狀和聚光光伏電池基材層面積形狀完全一樣。

所述有效面積為正方形形狀。

本發(fā)明的優(yōu)點和積極效果是：1、該種電池芯片能極大地減少聚光光伏電池基材材料的用量，這樣就能減少聚光光伏電池芯片的制作成本，2、通過增大負(fù)電極段的長度、寬度和厚度，能保證在增大透鏡的放大倍數(shù)之后，匯聚光轉(zhuǎn)換為大電流電能能順利通過負(fù)電極段導(dǎo)出來。

附圖說明

圖1為一種雙I型耐大電流聚光光伏電池芯片主視圖。

圖2為一種雙I型耐大電流聚光光伏電池芯片俯視圖。

其中：1、負(fù)電極層，2、聚光光伏電池基材層，3、正電極層，4、有效面積。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的說明。

一種雙I型耐大電流聚光光伏電池芯片，如圖1～2所示，包括負(fù)電極層1，聚光光伏電池基材層2，正電極層3和有效面積4，所述聚光光伏電池基材層2一面覆上負(fù)電極層1，另一面覆上正電極層3，所述負(fù)電極層1之外的部分為有效面積4，所述負(fù)電極層為平整I字形形狀，負(fù)電極的寬度為0.5~1.5毫米，厚度為0.5~1毫米，所述負(fù)電極層1和聚光光伏電池基材層2其中兩個相對端面完全重合，這樣就完全利用了聚光光伏電池基材層，從而達(dá)到節(jié)約聚光光伏電池基材層基材材料的目的。

本發(fā)明中，作為變行實施例，聚光光伏電池芯片的正、負(fù)電極層也可以交換過來設(shè)定制作，負(fù)電極層和聚光光伏電池基材層其中任意兩個相對端面完全重合，故本發(fā)明的權(quán)利保護范圍以權(quán)利要求書限定的范圍為準(zhǔn)。