[發(fā)明專利]一種雙I型耐大電流聚光光伏電池芯片在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710132516.5 | 申請(qǐng)日： | 2017-03-07 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106847948A | 公開（公告）日： | 2017-06-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王永向 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 成都聚合科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0224 | 分類號(hào)： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610207 四川省成都市雙流*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 型耐大 電流 聚光 電池 芯片 | ||
1.一種雙I型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，它包括負(fù)電極層，聚光光伏電池基材層，正電極層和有效面積，所述聚光光伏電池基材層一面覆上負(fù)電極層，另一面覆上正電極層，所述負(fù)電極層之外的部分為有效面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙I型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，所述負(fù)電極層為平整I字形形狀，負(fù)電極的寬度為0.5~1.5毫米，厚度為0.5~1毫米，負(fù)電極層和聚光光伏電池基材層其中兩個(gè)相對(duì)端面完全重合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙I型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，所述聚光光伏電池基材層為GaInP（磷化銦嫁）/GaAs（砷化鎵）/Ge（鍺）三層組合體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙I型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，所述正電極層為一完全密封的平面，正電極層面積形狀和聚光光伏電池基材層面積形狀完全一樣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙I型耐大電流聚光光伏電池芯片，其特征是，所述有效面積為正方形形狀。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于成都聚合科技有限公司，未經(jīng)成都聚合科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710132516.5/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
