[發(fā)明專利]一種溝槽版圖結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體器件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710131738.5
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN106876391B
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐強(qiáng);夏志良;嚴(yán)萍;李廣濟(jì);霍宗亮
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L21/77;H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種溝槽版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

溝槽開口，所述溝槽開口包括字線臺階區(qū)溝槽開口和陣列區(qū)溝槽開口；

位于相鄰兩條所述溝槽開口之間的溝槽孔開口；

其中，所述字線臺階區(qū)溝槽開口與所述陣列區(qū)溝槽開口相接，沿垂直于所述溝槽開口長度延伸方向上，所述字線臺階區(qū)溝槽開口的寬度大于所述陣列區(qū)溝槽開口的寬度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述字線臺階區(qū)溝槽開口的寬度均勻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述字線臺階區(qū)溝槽開口的寬度沿遠(yuǎn)離所述陣列區(qū)溝槽開口的方向逐漸增大。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的溝槽版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述字線臺階區(qū)溝槽開口遠(yuǎn)離所述陣列區(qū)溝槽開口的側(cè)邊為圓心朝向所述陣列區(qū)溝槽開口的弧形。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的溝槽版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，在沿所述溝槽長度延伸方向上，所述字線臺階區(qū)溝槽開口遠(yuǎn)離所述陣列區(qū)溝槽開口的側(cè)邊的最外緣位于所述溝槽孔開口遠(yuǎn)離所述陣列區(qū)溝槽開口的最外緣背離所述陣列區(qū)溝槽開口的一側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的溝槽版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，在沿所述溝槽長度延伸方向上，所述字線臺階區(qū)溝槽開口遠(yuǎn)離所述陣列區(qū)溝槽開口的側(cè)邊的最外緣與所述溝槽孔開口遠(yuǎn)離所述陣列區(qū)溝槽開口的最外緣之間的距離為0.5μm-2μm，包括端點(diǎn)值。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述字線臺階區(qū)溝槽開口的寬度比所述陣列區(qū)溝槽開口的寬度大10nm-50nm，包括端點(diǎn)值。

8.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，采用權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的溝槽版圖結(jié)構(gòu)制作形成，所述半導(dǎo)體器件包括：

襯底；

位于所述襯底內(nèi)的溝槽，所述溝槽包括字線臺階區(qū)溝槽和陣列區(qū)溝槽；

以及位于所述襯底內(nèi)，且位于相鄰溝槽之間的溝槽孔；

其中，所述字線臺階區(qū)溝槽與所述陣列區(qū)溝槽相接，在所述襯底表面且沿垂直于所述溝槽長度延伸方向上，所述字線臺階區(qū)溝槽開口的寬度大于所述陣列區(qū)溝槽開口的寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為三維結(jié)構(gòu)存儲器。

10.一種半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括字線臺階區(qū)和陣列區(qū)；

在所述襯底上形成溝槽刻蝕掩膜版，所述溝槽刻蝕掩膜版上的圖形為權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的溝槽版圖結(jié)構(gòu)；

對所述襯底進(jìn)行刻蝕，得到字線臺階區(qū)溝槽和陣列區(qū)溝槽。