[發明專利]一種應用于無線充電和NFC一體化的磁屏蔽片疊片結構

在審

• 申請號: 201710131353.9
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN106887701A
• 公開（公告）日: 2017-06-23
• 發明（設計）人: 徐勇攀;趙安平;吳長和;李家洪;劉開煌;郭慶文
• 申請（專利權）人: 深圳市信維通信股份有限公司
• 主分類號: H01Q1/52
• 分類號: H01Q1/52
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明屬于通信領域，具體涉及的是一種應用于無線充電和NFC一體化的磁屏蔽片疊片結構，主要用于為無線充電接收端提供一種穩定高效的磁屏蔽疊片方式。

背景技術

隨著通信技術及電子技術的快速發展，手機等眾多智能終端設備實現了無線充電及快捷支付等功能。對于智能手機而言，更加輕便且功能全面則更加容易受到消費者的青睞，以手機接收端為例，目前市場已經出現用非晶納米晶作為磁屏蔽片，將WPC，NFC、E-PAY等功能集成在一起的一體化屏蔽方案，進而簡化設計方式，降低整機厚度。

但是在實際使用的過程中，屏蔽片不僅起到隔離磁場的作用，對NFC功能的諧振頻點也存在較大的影響，并且，屏蔽片越接近于NFC天線，磁導率越高，諧振頻率越趨于低頻。為了不斷降低屏蔽片的厚度，磁導率必須做高，而屏蔽片又緊貼天線，導致NFC異常敏感，進而失效。

發明內容

為此，本發明的目的在于提供一種在滿足使用所需充電效率條件下，降低屏蔽片近NFC天線側敏感度的磁屏蔽片疊片結構。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的。

一種應用于無線充電和NFC一體化的磁屏蔽片疊片結構，設置于NFC天線下方，所述磁屏蔽片疊片結構包括至少兩層疊加的屏蔽片，且所述屏蔽片的磁導率由靠近NFC天線的一側逐漸向遠離NFC天線的一側以8％～40％的比例增加。

進一步地，所述任意相鄰屏蔽片之間通過雙面膠粘接在一起。

進一步地，所述屏蔽片為非晶納米晶屏蔽片。

進一步地，所述屏蔽片為鐵氧體屏蔽片。

進一步地，所述屏蔽片由非晶納米晶屏蔽片和鐵氧體屏蔽片組合疊加而成，且所述鐵氧體屏蔽片靠近NFC天線，非晶納米晶屏蔽片遠離NFC天線。

進一步地，所述屏蔽片的磁導率由靠近NFC天線的一側逐漸向遠離NFC天線的一側以16％～39％的比例增加。

進一步地，所述磁屏蔽片疊片結構包括五層疊加的屏蔽片。

進一步地，所述屏蔽片為五層疊加的非晶納米晶屏蔽片，且所述五層疊加非晶納米晶屏蔽片在200KHz下的磁導率由靠近NFC天線的一側逐漸向遠離NFC天線的一側依次為360H/m、420H/m、520H/m、660H/m、920H/m。

進一步地，所述屏蔽片為五層疊加的非晶納米晶屏蔽片，且所述五層疊加非晶納米晶屏蔽片在13.56MHz下的磁導率由靠近NFC天線的一側逐漸向遠離NFC天線的一側依次為220H/m、240H/m、260H/m、270H/m、280H/m。

進一步地，所述磁屏蔽片疊片結構的上部設置有一層離型膜，該離型膜與靠近NFC天線的屏蔽片之間通過雙面膠粘接；所述磁屏蔽片疊片結構的底部設置有一層保護膜，該保護膜與遠離NFC天線的屏蔽片之間通過雙面膠粘接。

本發明提供的磁屏蔽片疊片結構，利用靠近NFC天線的部位采用低導磁率的屏蔽片，而遠離線圈部位采用高導磁的屏蔽片，在滿足使用所需的充電效率的條件下，有效降低了屏蔽片近NFC天線側的敏感度，并且，采用這種不同磁導率屏蔽片的疊加方式，使得屏蔽片的性能可調。

附圖說明

圖1為本發明屏蔽片的疊片結構示意圖；

圖2為本發明非晶屏蔽片實物圖；

圖3為本發明不同工藝下的屏蔽片表層顯微結構；

圖4為本發明不同工藝下的各屏蔽片的磁導率特性曲線；

圖5為本發明不同磁導率疊片效率測試對比曲線；

圖6為同等厚度的非晶納米晶屏蔽片和鐵氧體屏蔽片的效率對比；

圖7為磁屏蔽片貼附在NFC天線上的示意圖；

圖8為磁屏蔽片拓展結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

針對現有手機等移動終端存在屏蔽片緊貼天線會導致NFC異常敏感而失效的問題，本發明提供了一種穩定高效的磁屏蔽疊片結構。

本發明所述的磁屏蔽疊片結構包括至少兩層疊加的屏蔽片，而任意相鄰的兩屏蔽片之間都通過雙面膠粘接在一起；而且所述屏蔽片的磁導率由靠近NFC天線的一側逐漸向遠離NFC天線的一側以8％～40％的比例增加，也就是說靠近NFC天線的屏蔽片為低導磁的屏蔽片，而遠離NFC天線的屏蔽片為高導磁的屏蔽片。

本實施例以五層屏蔽片為例進行說明。