[發(fā)明專利]像素電路和具有該像素電路的顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710131262.5 | 申請日: | 2017-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN106875893A | 公開(公告)日: | 2017-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐映嵩 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/3225 | 分類號: | G09G3/3225 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 孫之剛,陳嵐 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素 電路 具有 顯示裝置 | ||
公開了一種像素電路,其包括:有機(jī)發(fā)光二極管;驅(qū)動(dòng)晶體管,與所述有機(jī)發(fā)光二極管串聯(lián)連接并且具有連接到第一節(jié)點(diǎn)的柵極和連接到第二節(jié)點(diǎn)的漏極;雙柵晶體管,耦合在所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)之間;以及漏電流抑制結(jié)構(gòu),用于抑制由流過所述雙柵晶體管的漏電流引起的所述有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流的變化。還公開了具有該像素電路的顯示裝置。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體來說涉及一種像素電路和具有該像素電路的顯示裝置。
背景技術(shù)
為補(bǔ)償由于工藝導(dǎo)致的各驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的不均勻,各種補(bǔ)償技術(shù)已經(jīng)被應(yīng)用于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)像素電路中。
圖1是示出一種用于AMOLED像素電路的補(bǔ)償技術(shù)的示意圖。如圖1所示,驅(qū)動(dòng)晶體管DT的源極連接到第一電源電壓Vdd,有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)連接在驅(qū)動(dòng)晶體管DT的漏極與第二電源電壓Vss之間,并且補(bǔ)償晶體管CT連接在驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵極和漏極之間。當(dāng)補(bǔ)償晶體管CT的柵極被施加低電平信號SN時(shí),補(bǔ)償晶體管CT被開啟以使得驅(qū)動(dòng)晶體管DT形成二極管結(jié)構(gòu)。該二極管結(jié)構(gòu)可以用于補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管DT的閾值電壓Vth對由驅(qū)動(dòng)晶體管DT供應(yīng)給OLED的驅(qū)動(dòng)電流IOLED的影響。
當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管DT形成二極管結(jié)構(gòu)時(shí),其柵極電壓Vg等于其漏極電壓Vd,并且漏極電壓Vd與其源極電壓Vs之間的差Vds滿足:Vds=Vth。因此,在圖1的示例中可以得到:Vg=Vd=Vds+Vs=Vth+Vdd??梢钥吹剑?qū)動(dòng)晶體管DT的閾值電壓Vth已經(jīng)被引入柵極電壓Vg中。
在隨后的發(fā)光階段,驅(qū)動(dòng)電流IOLED可以計(jì)算為:
IOLED = K (Vgs-Vth)2 (1)
其中K表示由驅(qū)動(dòng)晶體管DT的遷移率(mobility)和寄生電容所確定的恒定值,并且Vgs表示驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵極電壓Vg與源極電壓Vs之間的差。在該發(fā)光階段,補(bǔ)償晶體管CT被關(guān)斷并且數(shù)據(jù)電壓已經(jīng)被引入到Vg中,使得閾值電壓Vth在等式(1)中被抵消。換言之,驅(qū)動(dòng)電流IOLED將與閾值電壓Vth無關(guān),從而改進(jìn)各個(gè)OLED之間的亮度的均勻性。
然而,當(dāng)補(bǔ)償晶體管CT被關(guān)斷時(shí)流過補(bǔ)償晶體管CT的漏電流會(huì)引起驅(qū)動(dòng)晶體管DT的柵極電壓Vg的變化。這可以例如導(dǎo)致在發(fā)光階段期間驅(qū)動(dòng)電流IOLED的變化,從而影響顯示質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識到,將雙柵晶體管(其包括經(jīng)由公共端子串聯(lián)連接的兩個(gè)子晶體管)用作補(bǔ)償晶體管CT是有利的,因?yàn)殡p柵晶體管可以具有與普通晶體管相比更小的漏電流。然而,雙柵晶體管的公共端子通常被懸浮,使得像素電路的操作易受外部擾動(dòng)的影響。例如,由于外部擾動(dòng)而引起的雙柵晶體管的不期望開啟可以導(dǎo)致不正確的數(shù)據(jù)電壓的寫入。又例如,在發(fā)光階段,雙柵晶體管的增大的漏電流可以被引起,使得流過OLED的驅(qū)動(dòng)電流IOLED的量值被改變。
因此,實(shí)現(xiàn)一種緩解、減輕或消除上述問題中的一個(gè)或多個(gè)的像素電路將是有利的。同樣期望的是提供一種具有這樣的像素電路的顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供了一種像素電路,包括:有機(jī)發(fā)光二極管;驅(qū)動(dòng)晶體管,與所述有機(jī)發(fā)光二極管串聯(lián)連接并且被配置成在發(fā)光階段期間借助于流過所述有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光,所述驅(qū)動(dòng)晶體管具有連接到第一節(jié)點(diǎn)的柵極和連接到第二節(jié)點(diǎn)的漏極;雙柵晶體管,耦合在所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)之間使得當(dāng)所述雙柵晶體管被開啟時(shí)所述驅(qū)動(dòng)晶體管形成二極管結(jié)構(gòu),所述雙柵晶體管包括經(jīng)由公共端子串聯(lián)連接的兩個(gè)子晶體管;以及漏電流抑制結(jié)構(gòu),用于抑制由流過所述雙柵晶體管的漏電流引起的所述驅(qū)動(dòng)電流的變化。
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