[發(fā)明專利]石墨烯層的形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710130750.4
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN107797378A
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 涂志強(qiáng);陳俊郎;蔡嘉雄;游秋山;張宗裕;林志誠;劉丙寅;李信昌;林云躍
• 申請（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/62
• 分類號: G03F1/62
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司32243
• 代理人: 顧伯興

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種石墨烯層的形成方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)展到追求更高裝置密度、更高性能及更低成本的納米技術(shù)，已對半導(dǎo)體制造中使用的光刻工具提出了更嚴(yán)格的要求。已利用例如極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻等技術(shù)來支持更小集成電路(IC)裝置的臨界尺寸(critical dimension，CD)需求。極紫外光刻使用波長為約1納米至100納米(例如13.5納米)的極紫外區(qū)中的輻射，所述波長比深紫外(deep ultraviolet，DUV)光刻(例如，193納米光刻)中的波長短得多。極紫外光刻使用朝向目標(biāo)物(例如硅晶片)反射來自輻射源的極紫外輻射的掩模(或掩模版(reticle))，從而將來自所述掩模的圖案轉(zhuǎn)移至所述目標(biāo)物。極紫外掩模的表面上的任何缺點(diǎn)(以及嵌入極紫外掩模中的缺點(diǎn))可在所述目標(biāo)物上造成成像缺點(diǎn)。因此，在光刻工藝期間保護(hù)極紫外掩模表面是重要的。

與傳統(tǒng)上采用薄膜來保護(hù)掩模表面的深紫外光刻中使用的掩模不同，當(dāng)前難以大規(guī)模地制造用于極紫外掩模的有效薄膜。一個(gè)原因在于極紫外輻射的波長非常短且傳統(tǒng)薄膜的隔膜將會(huì)大量吸收所述極紫外輻射，以致所述隔膜將在幾次使用之后因過熱而變形，且還將實(shí)質(zhì)上減少到達(dá)所述目標(biāo)物的極紫外能量。因而，期望在這些方面得到改善。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種石墨烯層的形成方法。所述方法包括：在第一襯底之上沉積第一材料層；以及在所述第一材料層之上沉積石墨烯層。所述方法還包括：在所述石墨烯層之上沉積非晶硅層；以及將所述非晶硅層結(jié)合至第二襯底，從而形成組件。所述方法還包括：使所述組件退火，從而將所述非晶硅層轉(zhuǎn)變成氧化硅層。所述方法還包括：自所述組件移除所述第一襯底；以及自所述組件移除所述第一材料層，從而暴露出所述石墨烯層。

附圖說明

通過結(jié)合附圖閱讀以下詳細(xì)說明，會(huì)最好地理解本發(fā)明的各方面。要強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)所述產(chǎn)業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)慣例，各種特征并未按比例繪制。實(shí)際上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1是可自本發(fā)明的各方面獲益的光刻系統(tǒng)的簡化示意圖。

圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的各方面，一種制作在極紫外光刻系統(tǒng)中使用的薄膜的方法的流程圖。

圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E、圖3F、圖3G、圖3H、圖3I、圖3J、圖3K及圖3L是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例，設(shè)備在各種制作階段期間的剖視圖。

[符號的說明]

100：極紫外光刻系統(tǒng)

102：輻射源

104：輻射束

106：聚光器光學(xué)器件

107：薄膜組件

108：掩模

109：薄膜隔膜

110：掩模載物臺(tái)

111：薄膜框架

112：投影光學(xué)器件

114：目標(biāo)物載物臺(tái)

116：目標(biāo)物

200：方法

202、204、206、208、210、212、214、216、218、220、222、224：操作

300：組件

302：第一襯底

304：第一材料層

304’：表面

306：石墨烯層

306’：表面

307：碳原子

308：非晶硅層

310：第二襯底/硅襯底

312：氧化硅層

314：載體

具體實(shí)施方式

以下公開內(nèi)容提供用于實(shí)作所提供主題的不同特征的許多不同的實(shí)施例或?qū)嵗Ｒ韵玛U述部件及排列的具體實(shí)例以簡化本公開內(nèi)容。當(dāng)然，這些具體實(shí)例僅為實(shí)例，且并非旨在進(jìn)行限制。例如，在以下說明中將第一特征形成于第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征與第二特征被形成為直接接觸的實(shí)施例，且也可包括其中所述第一特征與所述第二特征之間可形成有附加特征以使得所述第一特征與所述第二特征可能不直接接觸的實(shí)施例。另外，本公開內(nèi)容可在各種實(shí)例中重復(fù)參考編號及/或字母。這種重復(fù)是出于簡潔及清晰的目的，而不是自身表示所論述的各種實(shí)施例及/或配置之間的關(guān)系。