[發明專利]一種四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料的制備及其應用有效
| 申請號: | 201710129972.4 | 申請日: | 2017-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN106952743B | 公開(公告)日: | 2018-06-08 |
| 發明(設計)人: | 孔泳;王丙虎 | 申請(專利權)人: | 常州大學 |
| 主分類號: | H01G11/86 | 分類號: | H01G11/86;H01G11/30;H01G11/38;H01G11/46 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 四氧化三鈷 二硫化鉬 核殼材料 制備 電容性能測試 電子轉移能力 導電性 空間穩定性 修飾電極 支撐作用 比電容 摻氮 應用 | ||
本發明涉及一種四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料的制備及其應用。包括以下步驟:四氧化三鈷/碳的制備,四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料的制備,四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料修飾電極的制備,四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料的電容性能測試。本發明的有益效果是所制備的摻氮碳/四氧化三鈷具有良好的空間穩定性和導電性,并且能夠對二硫化鉬起支撐作用使四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料具有良好的電子轉移能力和優異的比電容。
技術領域
本發明涉及一種四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料的制備及其應用,屬于材料合成和電化學研究領域。
技術背景
近年來,在眾多的過渡金屬氧化物中,四氧化三鈷被認為是理想的超級電容器電極材料,由于其具有超高的理論比電容,環境友好性和好的電化學性能。然而,在許多情況下,四氧化三鈷的比電容遠遠低于它的理論比電容,這主要歸因于四氧化三鈷較低的導電性和在充放電過程中的體積變化和極化。解決這一問題的辦法就是應用納米結構的碳材料作為支撐材料來獲得高度分散的四氧化三鈷納米顆粒,這樣既能解決四氧化三鈷導電性低的問題,又能保持四氧化三鈷的結構穩定性。金屬有機框架ZIF-67,一種結晶的由2-甲基咪唑鈷離子通過配位作用形成的有機-無機雜化骨架材料,具有大的比表面積和孔體積和良好的孔道結構。它能夠作為四氧化三鈷/碳的模板和前驅體。通過這種方法合成的四氧化三鈷不僅具有良好的導電性并且在充放電過程中還能保持結構穩定,不易塌陷。二硫化鉬,具有類似石墨烯似的2D納米層結構和獨特的電化學性質。與石墨烯相比,二硫化鉬具有較低的能量耗散。另外二硫化鉬層與層之間的范德華力能夠加快陽離子的傳輸。因此,相比于石墨烯來說,二硫化鉬在能量儲存方面比石墨烯更為合適。因此,我們提出了一個成功的路線來合成四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料,這種核殼材料具有高的電容性能和結構穩定性,是作為超級電容器電極的理想材料。
發明內容
本發明的目的是在于提供一種四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料的制備及其應用。本發明提供了一種新的四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料的制備方法,首先以ZIF-67為模板和前驅體制備四氧化三鈷/碳材料,后通過溶劑熱合成的方法制備四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料。
本發明所述一種四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料的制備及其應用,包括以下步驟:
a、四氧化三鈷/碳的制備:稱取六水硝酸鈷、2-甲基咪唑分別溶于5~10mL去離子水和30~60mL去離子水中,然后將兩溶液混合并在室溫下攪拌,最后將生成物離心,用水和乙醇洗滌數次并在烘箱中干燥得到金屬有機框架ZIF-67,將制備的ZIF-67置于管式爐中在氮氣條件下煅燒,最后將煅燒后的樣品置于馬弗爐中二次煅燒。
b、四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料的制備:將步驟a中所得四氧化三鈷/碳超聲分散到溶有四硫代鉬酸銨的二甲基甲酰胺溶液中,后將分散液置于反應釜中,完畢后,將反應釜置于馬弗爐中一定溫度下反應數小時,最后將生成物離心,用水和乙醇洗滌數次并在烘箱中烘干。
c、四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料修飾電極的制備:將四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料超聲分散于超純水中,然后取3~10μL的分散液滴涂到電極上,室溫下干燥,得到該四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料修飾的電極。
d、四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料的電容性能測試:通過電化學工作站進行四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料電容性能的測試,本實驗采用三電極體系,四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料修飾電極為工作電極,鉑片為對電極,Ag/AgCl電極為參比電極,電解液為1~6mol/L KOH溶液,在以上條件下進行計時電位測試,并通過計時電位圖計算四氧化三鈷/碳@二硫化鉬核殼材料的比電容。
進一步,所述步驟a中六水硝酸鈷的量為0.5~1g,2-甲基咪唑的量為10~15g,室溫下攪拌的時間是5~10h,烘箱中干燥的溫度為50~100℃,干燥的時間是20~40h,在管式爐中煅燒的溫度是600~800℃,煅燒時間為2~8h,在馬弗爐中二次煅燒的溫度是100~400℃,煅燒時間為10~20h。
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