[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710129271.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107222196B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-06-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高柳浩二 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 瑞薩電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H03K19/0185 | 分類號(hào): | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 李輝;張昊 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件,包括:
半導(dǎo)體芯片,包括電平位移電路以根據(jù)低幅度邏輯信號(hào)的輸入來(lái)輸出高幅度信號(hào),
其中所述電平位移電路包括:
串聯(lián)耦合電路;
電位生成電路;
第一柵極控制電路,耦合至第一電源;
第二柵極控制電路,耦合至電位高于所述第一電源的電位的第二電源;和
第一電位轉(zhuǎn)換電路,布置在所述第一柵極控制電路和所述串聯(lián)耦合電路之間,
其中所述串聯(lián)耦合電路包括:
第一P溝道MOS晶體管,其源極耦合至所述第二電源;
第二P溝道MOS晶體管,其源極耦合至所述第一P溝道MOS晶體管的漏極;
第一N溝道MOS晶體管,其源極耦合至參考電源;
第二N溝道MOS晶體管,其源極耦合至所述第一N溝道MOS晶體管的漏極;和
第一輸出節(jié)點(diǎn),所述第二P溝道MOS晶體管的漏極和所述第二N溝道MOS晶體管的漏極被耦合至所述第一輸出節(jié)點(diǎn),
其中所述電位生成電路生成第一電位、第二電位和第三電位,所述第一電位低于所述第二電源的電位且高于所述參考電源的電位并且被施加給所述第二P溝道MOS晶體管的柵極,所述第二電位低于所述第二電源的電位且高于所述參考電源的電位,所述第三電位低于所述第二電源的電位且高于所述參考電源的電位并且被施加給所述第二N溝道MOS晶體管的柵極,
其中所述第一柵極控制電路生成第一信號(hào),所述第一信號(hào)具有所述參考電源的電位與所述第一電源的電位之間的幅度并且控制所述第一N溝道MOS晶體管的柵極,
其中所述第二柵極控制電路生成第二信號(hào),所述第二信號(hào)具有所述第一電位與所述第二電源的電位之間的幅度并且控制所述第一P溝道MOS晶體管的柵極,以及
其中所述第一電位轉(zhuǎn)換電路被配置為向所述第一N溝道MOS晶體管的柵極提供第一電平電位,所述第一電平電位低于所述第一信號(hào)的高電平且高于所述參考電源的電位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第一P溝道MOS晶體管的襯底耦合至所述第二電源,
其中所述第二P溝道MOS晶體管的襯底耦合至所述第一P溝道MOS晶體管的漏極,
其中所述第一N溝道MOS晶體管的襯底耦合至所述參考電源;以及
其中所述第二N溝道MOS晶體管的襯底耦合至所述第一N溝道MOS晶體管的漏極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第一電位轉(zhuǎn)換電路被配置為基于第一控制信號(hào)向所述第一N溝道MOS晶體管的柵極提供高于所述第一電平電位的電位。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件,還包括:
第二電位轉(zhuǎn)換電路,布置在所述第二柵極控制電路與所述串聯(lián)耦合電路之間,
其中所述第二電位轉(zhuǎn)換電路被配置為向所述第一P溝道MOS晶體管的柵極提供第二電平電位,所述第二電平電位高于所述第二信號(hào)的低電平且低于所述第二電源電位。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第二電位轉(zhuǎn)換電路被配置為基于第二控制信號(hào)向所述第一P溝道MOS晶體管的柵極提供低于所述第二電平電位的電位。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第一電位轉(zhuǎn)換電路包括第一傳輸門,所述第一傳輸門由第三N溝道MOS晶體管組成,所述第三N溝道MOS晶體管的柵極耦合至所述第一電源,并且所述第三N溝道MOS晶體管的襯底耦合至所述第一傳輸門的第二輸出節(jié)點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第一電位轉(zhuǎn)換電路包括第二傳輸門,所述第二傳輸門由第三P溝道MOS晶體管組成,所述第三P溝道MOS晶體管的柵極被提供有所述第一控制信號(hào),并且所述第三P溝道MOS晶體管的襯底耦合至所述第二傳輸門的第一輸入節(jié)點(diǎn)。
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