[發明專利]一種掃描聚焦系統及電子束控制方法

在審

• 申請號: 201710128987.9
• 申請日: 2017-03-06
• 公開（公告）號: CN106920723A
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 李帥;何偉;王鵬
• 申請（專利權）人: 聚束科技（北京）有限公司
• 主分類號: H01J37/26
• 分類號: H01J37/26;H01J37/28;H01J37/21
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司11270
• 代理人: 張穎玲,李梅香

1.一種掃描聚焦系統，其特征在于，所述系統包括：電子源、電子加速結構、聚焦結構、偏轉結構、電子減速結構和高壓控制結構；其中，

所述電子源，用于產生電子束；

所述電子加速結構，用于對所述電子源產生的電子束進行加速；

所述聚焦結構，用于對加速后的電子束進行聚焦；

所述偏轉結構，用于對聚焦后的電子束進行偏轉掃描；

所述電子減速結構，用于產生一減速場，對經偏轉掃描后的電子束進行減速；

所述高壓控制結構，用于控制所述電子源、所述電子加速結構和所述電子減速結構的電壓。

2.根據權利要求1所述的系統，其特征在于，所述系統還包括：探測結構，用于對電子束作用于樣品后產生的信號電子進行探測。

3.根據權利要求1所述的系統，其特征在于，所述電子加速結構為一陽極。

4.根據權利要求1至3任一項所述的系統，其特征在于，所述電子減速結構包括：第一電極和第二電極，所述第二電極與樣品連接。

5.根據權利要求4所述的系統，其特征在于，所述偏轉結構包括：第一電偏轉器和第二電偏轉器。

6.根據權利要求4所述的系統，其特征在于，所述高壓控制結構，用于控制所述電子源電壓-V₀的值為：-30KV≤-V₀≤-10KV；

控制所述電子加速結構的電壓值為0；

控制所述第一電極和所述第二電極的電壓值均為-V₀+V，0V≤V≤3KV。

7.根據權利要求4所述的系統，其特征在于，所述第一電極與所述聚焦結構中外極靴的高度相同，所述第一電極與所述聚焦結構中外極靴的水平間距可調。

8.根據權利要求1或2所述的系統，其特征在于，所述電子加速結構為高壓管中的第三電極。

9.根據權利要求8所述的系統，其特征在于，所述電子減速結構包括：第五電極、第六電極和所述高壓管中的第四電極，所述第六電極與樣品連接。

10.根據權利要求9所述的系統，其特征在于，所述偏轉結構包括：第一磁偏轉器和第二磁偏轉器。

11.根據權利要求9所述的系統，其特征在于，所述高壓控制結構，用于控制所述電子源電壓-V₀的值為：-3KV≤-V₀≤0V；

控制所述第三電極和所述第四電極的電壓+V₂的值為10KV≤+V₂≤30KV；

控制所述第五電極和所述第六電極的電壓值均為0。

12.根據權利要求9所述的系統，其特征在于，所述第五電極與所述聚焦結構中外極靴的高度相同，所述第五電極與所述聚焦結構中外極靴的水平間距可調。

13.一種電子束控制方法，其特征在于，所述方法包括：

控制電子源、電子加速結構和電子減速結構的電壓；

所述電子源產生的電子束經所述電子加速結構和偏轉結構中的第一偏轉器沿遠離光學中心軸的方向運動；

所述沿遠離光學中心軸方向運動的電子束經所述偏轉結構中的第二偏轉器和聚焦結構后進行匯聚；

匯聚后的電子束經所述電子減速結構減速后照射至待測樣品。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

對電子束照射至所述待測樣品后產生的信號電子進行探測。

15.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述沿遠離光學中心軸方向運動的電子束經所述聚焦結構中的第二偏轉器和聚焦結構后進行匯聚，包括：

所述聚焦結構中的第二偏轉器產生的場與所述聚焦結構產生的聚焦磁場形成搖擺式復合聚焦場，所述搖擺式復合聚焦場對所述沿遠離光學中心軸方向運動的電子束進行匯聚。

16.根據權利要求13至15任一項所述的方法，其特征在于，所述電子減速結構包括：第一電極和第二電極，所述第二電極與樣品連接。

17.根據權利要求16所述的方法，其特征在于，所述偏轉結構包括：第一電偏轉器和第二電偏轉器。