[發(fā)明專利]基于NAND閃存的列替換方法、裝置和NAND存儲(chǔ)設(shè)備

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710128852.2
• 申請(qǐng)日: 2017-03-06
• 公開（公告）號(hào): CN108536389A
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇志強(qiáng);劉會(huì)娟;李建新
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G06F3/06
• 分類號(hào): G06F3/06;G11C16/26
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆;胡彬

1.一種基于NAND閃存的列替換方法，應(yīng)用于NAND存儲(chǔ)設(shè)備，所述存儲(chǔ)設(shè)備包括核心陣列、冗余陣列、核心陣列鎖存器和冗余陣列鎖存器，其特征在于，

所述存儲(chǔ)設(shè)備還包括壞地址鎖存器，所述壞地址鎖存器中存儲(chǔ)有壞地址查找表，所述壞地址查找表中存儲(chǔ)所述核心陣列中壞列的列地址；

相應(yīng)的，所述方法包括：

在寫數(shù)據(jù)時(shí)，獲取待寫入數(shù)據(jù)的物理地址；

根據(jù)所述待寫入數(shù)據(jù)的物理地址和所述壞地址查找表，判斷核心陣列中與待寫入數(shù)據(jù)的物理地址對(duì)應(yīng)的列是否損壞；

當(dāng)判斷出損壞時(shí)，根據(jù)所述待寫入數(shù)據(jù)的物理地址將待寫入的數(shù)據(jù)通過所述冗余陣列鎖存器寫入所述冗余陣列；

在讀數(shù)據(jù)時(shí)，獲取待讀取數(shù)據(jù)的物理地址；

根據(jù)所述待讀取數(shù)據(jù)的物理地址和所述壞地址查找表，判斷核心陣列中與待讀取數(shù)據(jù)的物理地址對(duì)應(yīng)的列是否損壞；

當(dāng)判斷出損壞時(shí)，根據(jù)所述待讀取數(shù)據(jù)的物理地址從冗余陣列中對(duì)應(yīng)的列讀取數(shù)據(jù)，并通過所述冗余陣列鎖存器輸出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述根據(jù)所述待寫入數(shù)據(jù)的物理地址和所述壞地址查找表，判斷核心陣列中與待寫入數(shù)據(jù)的物理地址對(duì)應(yīng)的列是否損壞，包括：

將所述待寫入數(shù)據(jù)的物理地址和所述壞地址查找表中的全部壞地址分別做異或運(yùn)算，若運(yùn)算結(jié)果均為1，則判斷為核心陣列中待寫入數(shù)據(jù)的物理地址對(duì)應(yīng)的列沒有損壞，反之則判斷為損壞；

所述根據(jù)所述待讀取數(shù)據(jù)的物理地址和所述壞地址查找表，判斷核心陣列中與待讀取數(shù)據(jù)的物理地址對(duì)應(yīng)的列是否損壞，包括：

將所述待讀取數(shù)據(jù)的物理地址和所述壞地址查找表中的全部壞地址分別做異或運(yùn)算，若運(yùn)算結(jié)果均為1，則判斷為核心陣列中與待讀取數(shù)據(jù)的物理地址對(duì)應(yīng)的列沒有損壞，反之則判斷為損壞。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在寫數(shù)據(jù)時(shí)，當(dāng)判斷出核心陣列中與待寫入數(shù)據(jù)的物理地址對(duì)應(yīng)的列沒有損壞時(shí)，根據(jù)所述待寫入數(shù)據(jù)的物理地址，通過所述核心陣列鎖存器將待寫入的數(shù)據(jù)寫入所述核心陣列；

在讀數(shù)據(jù)時(shí)，當(dāng)判斷出核心陣列中與待讀取數(shù)據(jù)的物理地址對(duì)應(yīng)的列沒有損壞時(shí)，根據(jù)所述待讀取數(shù)據(jù)的物理地址從所述核心陣列中對(duì)應(yīng)的列讀取數(shù)據(jù)，并通過所述核心陣列鎖存器輸出。

4.一種基于NAND閃存的列替換裝置，應(yīng)用于NAND存儲(chǔ)設(shè)備，所述存儲(chǔ)設(shè)備包括核心陣列、冗余陣列、核心陣列鎖存器和冗余陣列鎖存器，其特征在于，所述存儲(chǔ)設(shè)備還包括壞地址鎖存器，所述壞地址鎖存器中存儲(chǔ)有壞地址查找表，所述壞地址查找表中存儲(chǔ)所述核心陣列中壞列的列地址；

相應(yīng)的，所述裝置包括：

物理地址獲取模塊，用于在寫數(shù)據(jù)時(shí)獲取待寫入數(shù)據(jù)的物理地址，或者在讀數(shù)據(jù)時(shí)獲取待讀取數(shù)據(jù)的物理地址；

列損壞判斷模塊，用于根據(jù)所述待寫入數(shù)據(jù)的物理地址和所述壞地址查找表，判斷核心陣列中與待寫入數(shù)據(jù)的物理地址對(duì)應(yīng)的列是否損壞，或者根據(jù)所述待讀取數(shù)據(jù)的物理地址和所述壞地址查找表，判斷核心陣列中與待讀取數(shù)據(jù)的物理地址對(duì)應(yīng)的列是否損壞；

第一讀寫模塊，用于當(dāng)列損壞判斷模塊判斷出損壞時(shí)，根據(jù)所述待寫入數(shù)據(jù)的物理地址將待寫入的數(shù)據(jù)通過所述冗余陣列鎖存器寫入所述冗余陣列，或者根據(jù)所述待讀取數(shù)據(jù)的物理地址從冗余陣列中對(duì)應(yīng)的列讀取數(shù)據(jù)，并通過所述冗余陣列鎖存器輸出。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述列損壞判斷模塊具體用于：

將所述待寫入數(shù)據(jù)的物理地址或者待讀取數(shù)據(jù)的物理地址，和所述壞地址查找表中的全部壞地址分別做異或運(yùn)算，若運(yùn)算結(jié)果均為1，則判斷為核心陣列中與待寫入數(shù)據(jù)的物理地址或者待讀取數(shù)據(jù)的物理地址對(duì)應(yīng)的列沒有損壞，反之則判斷為損壞。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：

第二讀寫模塊，用于當(dāng)列損壞判斷模塊判斷出沒有損壞時(shí)，根據(jù)所述待寫入數(shù)據(jù)的物理地址，通過所述核心陣列鎖存器將待寫入的數(shù)據(jù)寫入所述核心陣列，或者根據(jù)所述待讀取數(shù)據(jù)的物理地址從所述核心陣列中對(duì)應(yīng)的列讀取數(shù)據(jù)，并通過所述核心陣列鎖存器輸出。

7.一種NAND存儲(chǔ)設(shè)備，所述存儲(chǔ)設(shè)備包括固件、核心陣列、冗余陣列、核心陣列鎖存器和冗余陣列鎖存器，其特征在于，所述存儲(chǔ)設(shè)備還包括壞地址鎖存器，所述壞地址鎖存器中存儲(chǔ)有壞地址查找表，所述壞地址查找表中存儲(chǔ)所述核心陣列中壞列的列地址；

相應(yīng)的，所述固件包括如權(quán)利要求4-6中任一項(xiàng)所述的基于NAND閃存的列替換裝置。